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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPCC8061-HLQ(OToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 8A 15W 11nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8061-HLQ(SToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 8A 15W 11nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8062-H,L1MQ(CMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8062-H,L1Q(CJToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8062-H,L1Q(CMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8062-H,LMU1Q(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8062-H,LMU1Q(MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8062-H,LQ(MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8062-H,LQ(OToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8064-HTOSHIBAQFN
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8065-H,LQ(SToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 13A 18W 1350pF 20nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8065-H,LQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8066-H,LQ(SToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 11A 17W 1100pF 15nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8066-H,LQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8067-HToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8067-H,LQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8067-H,LQ(SToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 9A 15W 690pF 9.5nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8069L1Q(OToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8070,L1QOToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8073,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8TSON-ADV
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8073L1Q(CMToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8073LQ(OToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 27A 39W 2600pF 37nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8074,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8074LQ(OToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 20A 30W 1800pF 25nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8076,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 33V 27A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8076LQ(OToshibaMOSFET N-Ch 33V FET 27A 39W 2900pF 34nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8084,L1Q(CMToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8084,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 33V 21A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8084LQ(OToshibaMOSFET N-Ch 33V FET 21A 32W 1900pF 27nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8093,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8093,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 21A 8-Pin TSON EP Advance
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8093,L1QToshibaMOSFET N-Ch 20V FET 21A 30W 1860pF 16nC
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8102(TE12L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET -30V -15A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8102(TE12L,Q,MToshibaMOSFET MOSFET -30V -15A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103TOSHIBA 10+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12L,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12L,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12L,QM)ToshibaMOSFET MOSFET -30V -18A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12L,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12L,VM)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12L1,VMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103(TE12LQ)ToshibaMOSFET P-Ch -30V FET 27W -18A 1600pF 38nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8103,L1QToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8104ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8104,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8104,L1QToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8104,L1Q(CMToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 20A 8-Pin TSON EP Advance T/R
auf Bestellung 3108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
322+0.55 EUR
323+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8104,L1Q(CMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8104,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8104LQ(OToshibaMOSFET P-Ch -30V FET 27W -20A 2260pF 58nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105TOSHIBAQFN
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 23A 8-Pin TSON EP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,L1QToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
18+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 23A 8-Pin TSON EP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,L1Q(CMToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 23A 8-Pin TSON EP Advance T/R
auf Bestellung 3716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
267+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,L1Q(CMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105L1Q(CMToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8105LQ(OToshibaMOSFET P-Ch -30V FET 30W -23A 3240pF 76nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8106ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8107ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8131ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8131,LQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8131,LQ(SToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin TSON EP Advance T/R
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.4 EUR
541+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8131LQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8136,LQ(SToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 9.4A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.65 EUR
319+0.55 EUR
368+0.46 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8136,LQ(SToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 9.4A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.98 EUR
267+0.63 EUR
319+0.51 EUR
368+0.43 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8136.LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8138,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R
auf Bestellung 4130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.57 EUR
311+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8A01-H
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TPCC8A01-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
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TPCC8A01-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
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TPCDS-BBE-1Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/BULLET
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TPCDS-BBE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BBE-2Bussmann / EatonControl Switches FUSED DISCON SWITCH
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TPCDS-BBE-2Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BBE-3Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/BULLET
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TPCDS-BBE-3Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BBM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BBM-2Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BBM-2Bussmann / EatonDisconnect Switches TPCDS BULLET/BULLET
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TPCDS-BBM-3Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/BULLET
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TPCDS-BBM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BSE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BSE-1Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/STUD
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TPCDS-BSE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BSE-2Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/STUD
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TPCDS-BSE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BSE-3Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/STUD
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TPCDS-BSM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BSM-1Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/STUD
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TPCDS-BSM-2Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/STUD
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TPCDS-BSM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BSM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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TPCDS-BSM-3Bussmann / EatonControl Switches TPCDS BULLET/STUD
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TPCDS-D-BC1Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC
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