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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFU3707ZPBF
Produktcode: 103006
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3708Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3708
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3708PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709IRDIP
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZIR04+
auf Bestellung 42675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709Z-701PIR05+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z
Produktcode: 99520
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2930/69
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.5 EUR
10+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701PInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZTRL701Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711ZPBFIR07+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910International RectifierN-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBF
Produktcode: 77965
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251AA
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/44
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.86 EUR
10+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+1.37 EUR
100+1.23 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
186+1.25 EUR
191+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.98 EUR
184+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.74 EUR
239+0.73 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
75+1.39 EUR
150+1.25 EUR
525+1.04 EUR
1050+0.95 EUR
2025+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 16A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.74 EUR
181+0.93 EUR
186+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3911PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4101TRL-701IR05+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104IR04+
auf Bestellung 19425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104
Produktcode: 99521
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2950/59
Montage: THT
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.43 EUR
10+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZInternational RectifierN-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBF
Produktcode: 43658
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU4105ZPBF - IRFU4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
717+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 717 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU410A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU410BTU
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 3384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
94+2.49 EUR
127+1.7 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.03 EUR
100+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.36 EUR
6000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 3Ω
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BFAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 80640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BTUONS/FAII-PAK (TO251) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BTUFAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 26262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BTUonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel B-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
auf Bestellung 9623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+1.76 EUR
100+1.44 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
3000+0.99 EUR
6000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
75+1.92 EUR
150+1.73 EUR
525+1.46 EUR
1050+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.15 EUR
161+1.07 EUR
300+1.01 EUR
525+0.95 EUR
1050+0.92 EUR
2025+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420TU
auf Bestellung 59220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU421Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU422Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430AIRFU430A Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
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IRFU430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU430APBFInternational RectifierN-CH. 500V 5.0A IPAK=TO-251 Транзистори
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