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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFU4105ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU4105ZPBF - IRFU4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBF
Produktcode: 43658
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
717+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 717 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU410A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU410BTU
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420ASiliconixN-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.04 EUR
100+1.65 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 3Ω
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BFAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 80640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BTUFAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 26262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BTUonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel B-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420BTUONS/FAII-PAK (TO251) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.97 EUR
161+0.9 EUR
300+0.85 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.77 EUR
2025+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
auf Bestellung 9623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+1.48 EUR
100+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.52 EUR
75+1.61 EUR
150+1.45 EUR
525+1.23 EUR
1050+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
124+0.58 EUR
150+0.55 EUR
300+0.53 EUR
525+0.51 EUR
1050+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420TU
auf Bestellung 59220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU421Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU422Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430AIRFU430A Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.35 EUR
10+2.8 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.35 EUR
10+2.82 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBFInternational RectifierN-CH. 500V 5.0A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBF (Transistor)
Produktcode: 52948
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 500
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 490/24
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU430BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430BTUON SemiconductorIRFU430BTU
auf Bestellung 5177 Stücke:
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1140+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 6609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430BTUON SemiconductorIRFU430BTU
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+4.1 EUR
6000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+1.8 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.36 EUR
46+1.59 EUR
50+1.46 EUR
60+1.2 EUR
75+1.14 EUR
150+1.03 EUR
450+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.12 EUR
75+1.9 EUR
150+1.71 EUR
525+1.45 EUR
1050+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+1.8 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFIRFU4510PBF Транзисторы FETKY
auf Bestellung 94 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 8680 Stücke:
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122+1.16 EUR
200+1.11 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1.04 EUR
6000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+1.8 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 33, Ptot, Вт = 144, Udss, В = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615International RectifierN-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 7631 Stücke:
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377+1.46 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+1.41 EUR
100+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.75 EUR
90+1.62 EUR
100+1.53 EUR
200+1.43 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 33A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.27 EUR
128+1.13 EUR
250+1.1 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.61 EUR
117+1.21 EUR
129+1.06 EUR
250+1.01 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
auf Bestellung 6390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.28 EUR
75+1.97 EUR
150+1.78 EUR
525+1.51 EUR
1050+1.39 EUR
2025+1.3 EUR
5025+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU48Z
Produktcode: 99522
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 11 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1720/40
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.84 EUR
10+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU48ZIR05+
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU48ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305International RectifierP-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.05 EUR
155+0.91 EUR
190+0.72 EUR
208+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.41 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
780+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 780 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInternational RectifierP-кан. MOSFET 55V, 31A, 0.065Ом, 110Вт, I-PAK TO-251AA/TO-251-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 9002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
75+0.89 EUR
150+0.8 EUR
525+0.66 EUR
1050+0.6 EUR
2025+0.55 EUR
5025+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC
auf Bestellung 7281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.72 EUR
3000+0.65 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1301+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBF
Produktcode: 26942
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+0.94 EUR
192+0.75 EUR
210+0.67 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.47 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
150+0.65 EUR
525+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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207+0.71 EUR
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IRFU5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU540ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
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IRFU5410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRFU5410PBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFU5410PBF
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453+1.21 EUR
504+1.07 EUR
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IRFU5410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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453+1.21 EUR
504+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
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IRFU5410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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75+1.3 EUR
150+1.16 EUR
525+0.97 EUR
1050+0.89 EUR
2025+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFU5410PBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFU5410PBF
auf Bestellung 825 Stücke:
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453+1.21 EUR
504+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
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