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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFU3504ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3518
Produktcode: 52680
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3518-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3518PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 38A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3518TRL-701IR05+
auf Bestellung 8485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607International RectifierN-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.98 EUR
178+0.93 EUR
185+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.62 EUR
75+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.06 EUR
162+1.04 EUR
200+0.99 EUR
2000+0.98 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
76+3.06 EUR
100+2.19 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+1.43 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBF
Produktcode: 191828
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineonТранзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.95 EUR
182+0.93 EUR
188+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2464+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607TRL701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607TRL701PInfineon / IRMOSFET MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3704
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3704PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3704ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 60A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3706Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3706-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3706PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3706TRL-701IR06+
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707ZIR04+
auf Bestellung 51600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707ZPBF
Produktcode: 103006
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707ZPBFIR
auf Bestellung 18075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3708
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3708Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3708PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709IRDIP
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZIR04+
auf Bestellung 42675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709Z-701PIR05+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z
Produktcode: 99520
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2930/69
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.5 EUR
10+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701PInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZTRL701Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711ZPBFIR07+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3711ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910International RectifierN-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
186+1.25 EUR
191+1.12 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+1.37 EUR
100+1.23 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.96 EUR
184+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFU3910PBF
Produktcode: 77965
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251AA
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/44
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.86 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
75+1.39 EUR
150+1.25 EUR
525+1.04 EUR
1050+0.95 EUR
2025+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.73 EUR
239+0.71 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 16A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.73 EUR
150+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.71 EUR
181+0.92 EUR
186+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3911PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4101TRL-701IR05+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104IR04+
auf Bestellung 19425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU4104
Produktcode: 99521
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2950/59
Montage: THT
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.43 EUR
10+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4104PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZInternational RectifierN-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBF
Produktcode: 43658
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU4105ZPBF - IRFU4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
717+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 717 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU4105ZTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
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