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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFZ44LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N
Produktcode: 1322
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NNXP SemiconductorsMOSFETs TRENCH 31V-99V G1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.97 EUR
15+1.24 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N-ML MOSLEADER TIRFZ44n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17.5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInternational RectifierN-Channel, 55V, 49A, TO-262 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+1.44 EUR
500+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPNXP SemiconductorsMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 55V 49A SOT78
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 94, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 18868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.75 EUR
5000+0.68 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFIRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
731+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 731 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineonMOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+0.95 EUR
155+0.93 EUR
186+0.76 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.76 EUR
195+0.72 EUR
216+0.63 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 7426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFIRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1512 St.
  • 25 St. - stock Köln
  • 1487 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.32 EUR
10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
auf Bestellung 18386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.88 EUR
168+0.86 EUR
196+0.72 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.5 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInternational RectifierMOSFET N-Ch, 55V, 49A, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+0.95 EUR
155+0.91 EUR
186+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSUMWD2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSPBF
Produktcode: 37486
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLInfineonN-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLInfineonN-MOSFET 49A 55V 94W 0.017Ω IRFZ44NS IRFZ44NS smd TIRFZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRL IRFZ44NSPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.28 EUR
1600+1.18 EUR
2400+1.13 EUR
4000+1.07 EUR
5600+1.04 EUR
8000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.87 EUR
2400+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineonMOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
auf Bestellung 30328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.2 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
800+1.05 EUR
2400+0.97 EUR
4800+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.59 EUR
82+1.77 EUR
111+1.27 EUR
500+0.97 EUR
800+0.77 EUR
2400+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 12811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+1.38 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF
Produktcode: 122891
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 85 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.87 EUR
2400+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRPBFIRTO220 10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRRPBF
Produktcode: 31849
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N\B45Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBF
Produktcode: 35443
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 5 St.
    1+0.98 EUR
    10+0.81 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 143 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    71+2.07 EUR
    79+1.83 EUR
    100+1.77 EUR
    Mindestbestellmenge: 71 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 882 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    54+2.71 EUR
    58+2.48 EUR
    100+1.88 EUR
    500+1.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 54 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1020 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+6.14 EUR
    50+3.11 EUR
    100+2.81 EUR
    500+2.3 EUR
    1000+2.14 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Through Hole
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 50A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 150W
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: N Channel
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
    directShipCharge: 25
    auf Bestellung 4 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    71+2.06 EUR
    80+1.82 EUR
    100+1.76 EUR
    500+1.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 71 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 36A
    Power dissipation: 150W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 28mΩ
    Mounting: THT
    Gate charge: 67nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 841 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    33+2.19 EUR
    40+1.8 EUR
    44+1.63 EUR
    50+1.43 EUR
    55+1.32 EUR
    100+1.2 EUR
    500+1 EUR
    Mindestbestellmenge: 33 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 150 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    71+2.06 EUR
    80+1.78 EUR
    100+1.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 71 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
    auf Bestellung 3973 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.07 EUR
    10+2.25 EUR
    100+1.88 EUR
    500+1.59 EUR
    1000+1.4 EUR
    2000+1.33 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    71+2.06 EUR
    80+1.78 EUR
    100+1.7 EUR
    500+1.49 EUR
    Mindestbestellmenge: 71 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
    auf Bestellung 1077 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.15 EUR
    10+2.22 EUR
    100+1.81 EUR
    500+1.57 EUR
    1000+1.26 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    auf Bestellung 562 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.63 EUR
    50+2.83 EUR
    100+2.56 EUR
    500+2.08 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFZ44RPBF
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    35+4.25 EUR
    59+2.45 EUR
    100+2.19 EUR
    500+1.78 EUR
    1000+1.63 EUR
    2000+1.53 EUR
    Mindestbestellmenge: 35 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1159 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.63 EUR
    50+2.83 EUR
    100+2.56 EUR
    500+2.08 EUR
    1000+1.93 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 50A
    Pulsed drain current: 200A
    Power dissipation: 150W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 28mΩ
    Mounting: THT
    Gate charge: 67nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RPBFIR09+
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 2000 Stücke:
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    35+4.25 EUR
    59+2.4 EUR
    100+2.11 EUR
    500+1.69 EUR
    1000+1.5 EUR
    2000+1.37 EUR
    Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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    IRFZ44RPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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    1+4.86 EUR
    10+2.85 EUR
    100+2.41 EUR
    500+2.11 EUR
    1000+1.99 EUR
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    IRFZ44RPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ44RPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 50A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 150W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
    auf Bestellung 1625 Stücke:
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    IRFZ44RPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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    1+5.88 EUR
    10+3.41 EUR
    100+2.69 EUR
    500+2.11 EUR
    1000+1.99 EUR
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    IRFZ44RPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44RSTRRVishay / SiliconixMOSFETs Discrete Semiconductor Products
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44SIR09+
    auf Bestellung 5030 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRFZ44SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ44SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 50A
    Pulsed drain current: 200A
    Power dissipation: 150W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 28mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 67nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
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