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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFZ48RLVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RLPBFVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.11 EUR
10+3.1 EUR
100+2.8 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.07 EUR
50+3.08 EUR
100+2.79 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.4 EUR
50+3.23 EUR
100+2.84 EUR
250+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.8 EUR
24+3 EUR
28+2.65 EUR
50+1.97 EUR
100+1.77 EUR
250+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.91 EUR
100+3.48 EUR
500+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.37 EUR
10+4.88 EUR
100+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 60V 50 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVishay SiliconixMOSFET N-Channel, 60V, 50A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 60V Power MOSFET
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+3.34 EUR
100+3.29 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 N-CH 60V 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.73 EUR
10+3.06 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VPBF
Produktcode: 122337
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 72 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1985/110
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 72A 12mOhm 73.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ48VPBF - IRFZ48 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSPBFIR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSPBFInfineon / IRMOSFET D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRLPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRRHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC Qg
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IRFZ48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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IRFZ48ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB Транзистори
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IRFZ48ZPBF
Produktcode: 45935
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: THT
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IRFZ48ZSIR07+ TO-263
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IRFZ48ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFZ48ZSHRInfineon / IRInfineon
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IRFZ48ZSPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC
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IRFZ48ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
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IRFZ48ZSPBF
Produktcode: 72073
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFZ48ZSPBFInternational RectifierD2PAK/55V SINGLE N-CHANNEL HEXFET, D2-PAK Транзистори
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IRFZR4N08+
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