Produkte > tsm
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| TSM6D138M010AH6410D493 | KEMET | Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 1300uF 2917 20% ESR=83mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N50CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N60CH | Taiwan Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N60CH C5 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N Channl Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N60CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1875 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N60CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N60CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N60CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N Channl Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6N60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 600V, 6A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N10CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 100V, 70A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252 Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N10CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V 70A Single N-Ch annel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N1R4CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 3.3A, 1400mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N1R4CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N1R4CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 700V, 3.3A, 1400mOhm | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N1R4CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO251 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V | auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N380CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6.6A Power dissipation: 125W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 18.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 1888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N380CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N380CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V | auf Bestellung 14899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N600ACL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600ACL X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600ACL X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A TO262S Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 8A, 600mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A Power dissipation: 83W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N600CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 8A, 600mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N750CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 6A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.6A Power dissipation: 62.5W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 10.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 6A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N750CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N900CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 4.5A, 900mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 4.5A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 4.5A, 900mOhm | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.7A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 4.5A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N900CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 4.5A, 900mOhm | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70N900CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 4.5A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM70N900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM70NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 | auf Bestellung 2302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM7311DCS | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM7401 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM7401CS | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM7401CSRL | auf Bestellung 13263 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM75-00GM33RT-14.7456M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 14.7456MHZ SMD | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-20FM33SN-62.208M | Transko Electronics, Inc. | Description: 62.208MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-H00CQ50RT-12.288M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 12.2880MHZ HCMOS SMD | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-H00CQ50RT-7.3728M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 7.3728MHZ HCMOS SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±100ppm Voltage - Supply: 5V Current - Supply (Max): 20mA Height - Seated (Max): 0.059" (1.50mm) Part Status: Active Frequency: 7.3728 MHz Base Resonator: Crystal | auf Bestellung 6936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H00CQ50ST-8.000M-TR | Кварцовий генератор smd, F = 8 МГц, Iживл = 20 мА, Uживл, В = 5, Стаб. ч-ти, ppm = 100, Тексп, °C = 0...+70, Тип вих. = HCMOS,... П'єзоелектрики Корпус: 7.0x5.0mm Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | verfügbar 13 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TSM75-H00CQ50ST-8.000M-TR (аналог O-8-VX3E-T1-LF) | Transko | TSM75-H00CQ50ST-8.000M-TR (аналог O-8-VX3E-T1-LF) 8,000 МГц CMOS 100 ppm 5V 15pF -40...+85 C Кварцові та керамічні резонатори та генератори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-H00CT18ST-30.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 30.0000MHZ HCMOS SMD | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-H00GM33RT-14.7456M | Transko Electronics, Inc. | Description: 14.7456MHz 7x5mmSMD OSC 3.3V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H00HM33RN-29.440M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 29.4400MHZ HCMOS SMD Base Resonator: Crystal Frequency: 29.44 MHz Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.059" (1.50mm) Current - Supply (Max): 20mA Voltage - Supply: 3.3V Frequency Stability: ±100ppm Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Type: XO (Standard) Output: HCMOS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Strip | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H00HM33RT-72.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 72.0000MHZ HCMOS SMD Function: Enable/Disable Output: HCMOS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Strip Base Resonator: Crystal Frequency: 72 MHz Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.059" (1.50mm) Current - Supply (Max): 60mA Voltage - Supply: 3.3V Frequency Stability: ±100ppm Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Type: XO (Standard) | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H00HM33RT-8.000M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Frequency Stability: ±100ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.059" (1.50mm) Part Status: Active Frequency: 8 MHz Base Resonator: Crystal | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H00HM33RT-8.000M-TR | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Frequency Stability: ±100ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.059" (1.50mm) Part Status: Active Frequency: 8 MHz Base Resonator: Crystal | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H10FM33ST-34.368M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 34.3680MHZ HCMOS SMD Base Resonator: Crystal Frequency: 34.368 MHz Height - Seated (Max): 0.059" (1.50mm) Current - Supply (Max): 20mA Voltage - Supply: 3.3V Frequency Stability: ±10ppm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Type: XO (Standard) Function: Enable/Disable Output: HCMOS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Strip | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H15HM33RT-24.576M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 24.5760MHZ HCMOS SMD | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-H20CQ33ST-44.736M | Transko Electronics, Inc. | Description: 44.736MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-H20FM33SN-62.208M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 62.2080MHZ HCMOS SMD Base Resonator: Crystal Frequency: 62.208 MHz Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.059" (1.50mm) Current - Supply (Max): 30mA Voltage - Supply: 3.3V Frequency Stability: ±20ppm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Type: XO (Standard) Output: HCMOS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Strip | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM75-H20GM33ST-35.4688M | Transko Electronics, Inc. | Description: XTAL OSC XO 35.4688MHZ HCMOS SMD | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM75-H25CQ33RT-36.864M | Transko Electronics, Inc. | Description: 36.864MHZ XTAL OSC CERAMIC SMD | auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |