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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS64LT1G AM..ON-SemiconductorTransistor NPN; 20; 350mW; 80V; 200mA; 60MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS64LT1G; BSS64 ONS; BSS64LT1G TBSS64
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64R/U6PPHILIPS
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS65PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS65TA
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS66(Z)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS66TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS66TConsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS66TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
332+0.7 EUR
519+0.42 EUR
752+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116ROHM SemiconductorMOSFETs SOT23 N-CH 60V .65A
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.27 EUR
656+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 632 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
332+0.7 EUR
519+0.42 EUR
752+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.6 EUR
565+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L H6327Infineon
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L H6327
Produktcode: 165851
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 13711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L L6327INFINEON09+ SOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L-L6327INFINEONSOP8
auf Bestellung 33600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327Infineon technologies
auf Bestellung 6250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 9130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.67 EUR
582+0.4 EUR
1059+0.2 EUR
1435+0.15 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.45 EUR
625+0.27 EUR
665+0.24 EUR
1064+0.14 EUR
1205+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 74584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.67 EUR
582+0.4 EUR
1059+0.2 EUR
1435+0.15 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.088 EUR
6000+0.081 EUR
9000+0.067 EUR
15000+0.063 EUR
21000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.095 EUR
15000+0.086 EUR
21000+0.079 EUR
30000+0.073 EUR
75000+0.062 EUR
150000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1064+0.17 EUR
1076+0.15 EUR
1205+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1064 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.095 EUR
30000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.11 EUR
20000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.25 EUR
1299+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 35634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6757+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 16147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 5482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
671+0.49 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 671 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
946+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 946 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 650mA, SOT-23, Small Signal MOSFET
auf Bestellung 5901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
633+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 633 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116ROHMDescription: ROHM - BSS670T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 A, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 650
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670T116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS67TA
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS68PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS69
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS70PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS70TC
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS71MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS71S
auf Bestellung 11557 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS72MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS72S
auf Bestellung 11625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS73MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS73S
auf Bestellung 5550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS74MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS74S
auf Bestellung 5668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS75MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS75B/CEINFINEON09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS75B\CElnfineonSOT-23
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS75S
auf Bestellung 5689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS76Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TT Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS76MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS76S
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS77MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728N
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728N L7980Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.2 EUR
944+0.18 EUR
1262+0.13 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNALN-CH
auf Bestellung 5337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.42 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.099 EUR
45000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
30000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.79 EUR
496+0.46 EUR
971+0.23 EUR
1444+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.09 EUR
30000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.6 EUR
395+0.43 EUR
448+0.36 EUR
885+0.18 EUR
944+0.15 EUR
1262+0.11 EUR
3000+0.076 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
577+0.3 EUR
649+0.26 EUR
677+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 577 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS7728NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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