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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
CSD25404Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 60A; 96W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: 12V
Power dissipation: 96W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
auf Bestellung 7380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3Texas InstrumentsTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 104A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD25404Q3T CSD25404Q3 TCSD25404q3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
auf Bestellung 6250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.45 EUR
500+1.32 EUR
750+1.25 EUR
1250+1.18 EUR
1750+1.14 EUR
2500+1.09 EUR
6250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTexas InstrumentsP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2120 @ 10, Qg, нКл = 14,1 @ 4,5 В, Rds = 6,5 мОм @ 10 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,15 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,8, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTexas InstrumentsMOSFETs -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.62 EUR
100+1.55 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 96W
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.31 EUR
50+1.74 EUR
55+1.57 EUR
73+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
auf Bestellung 6402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
auf Bestellung 51382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3Texas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
30000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.94 EUR
500+0.84 EUR
750+0.8 EUR
1250+0.75 EUR
1750+0.71 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3TTexas InstrumentsMOSFETs -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.64 EUR
100+0.94 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4Texas InstrumentsMOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4Texas InstrumentsMOSFETs P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T
auf Bestellung 10590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
auf Bestellung 121452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4
auf Bestellung 3197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.7 EUR
100+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
146+1.59 EUR
161+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1 EUR
500+0.9 EUR
750+0.86 EUR
1250+0.8 EUR
1750+0.76 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
146+1.59 EUR
161+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
auf Bestellung 18567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.74 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4Texas InstrumentsMOSFETs 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T
auf Bestellung 6579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
auf Bestellung 14828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
38+0.55 EUR
100+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
14+1.51 EUR
100+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.69 EUR
100+0.9 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.01 EUR
500+0.88 EUR
1250+0.75 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
862+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 862 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
404+0.42 EUR
408+0.39 EUR
661+0.24 EUR
668+0.23 EUR
724+0.2 EUR
1076+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4Texas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
auf Bestellung 7043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 14685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -22A; 500mW
On-state resistance: 825mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: PICOSTAR3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.75 EUR
100+1 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.75 EUR
500+0.68 EUR
750+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5Texas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
auf Bestellung 26401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
31+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
13+1.65 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5TTexas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.02 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.81 EUR
500+0.74 EUR
750+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -31A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -31A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 1.4W
On-state resistance: 0.25Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3Texas InstrumentsMOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 26926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.6 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
auf Bestellung 14341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.96 EUR
500+0.87 EUR
750+0.82 EUR
1250+0.77 EUR
1750+0.74 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3TTexas InstrumentsMOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.52 EUR
10+1.25 EUR
100+0.99 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
auf Bestellung 11675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2T0S-N101+ QFP
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2TOS-N1AMCCQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD30168PentairCSD30168
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1152.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD30168Hoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR ANSI61
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD30168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD30168 - SINGLE DOOR ENCLOSURE, 30" X 16" X 8"
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Light Gray
Außenhöhe - imperial: 30"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12
Außentiefe - metrisch: 203mm
Außenhöhe - metrisch: 762mm
Außentiefe - imperial: 8"
Außenbreite - metrisch: 406mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Konfigurierbar: Yes
Gehäusetyp: Wall Mount
Außenbreite - Zoll: 16"
Gehäusematerial: Mild Steel
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2010.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD30168LGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR RAL7035
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD30208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 600in² (3871cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 30.000" L x 20.000" W (762.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1092.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD302410Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 720in² (4645cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1327.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD302410WHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD302412Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W
Part Status: Active
Area (L x W): 720in² (4645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 12.008" (305.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1282.71 EUR
5+1259.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD30246WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD30248Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Area (L x W): 720in² (4645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1149.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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