Produkte > Si3
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SI3406FBC3-KIT | Skyworks Solutions | Si3406 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3406FBC3-KIT | Skyworks Solutions Inc. | Description: EVAL BOARD FOR SI3406 Packaging: Bulk Contents: Board(s) Regulator Topology: Flyback Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: Si3406 Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: Special Purpose DC/DC, Power Over Ethernet Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3406FBC3-KIT | Skyworks Solutions | Si3406 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3406FBC3-KIT | Skyworks Solutions | Si3406 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3407-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3407-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407-TP | Micro Commercial Components Corp. | Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 4.1A; 1,3W; -55°C~150°C; SI3407-TP-HF TSI3407-TP-HF Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI3407-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3407-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3407-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 20212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407-TP-HF | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 31 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt Type 3 and 4 PD interface with high-efficiency dc-dc converter | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI34071-A01-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: 802.3BT PD WITH INTEGRATED DC DC Power - Max: 71 W Number of Channels: 1 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 32-QFN (5x5) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3bt Internal Switch(s): No Type: Controller (PD), DC/DC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-QFN Packaging: Tube | auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: 802.3BT PD WITH INTEGRATED DC DC Power - Max: 71 W Number of Channels: 1 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 32-QFN (5x5) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3bt Internal Switch(s): No Type: Controller (PD), DC/DC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-QFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt Type 3 and 4 PD interface with high-efficiency dc-dc converter | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: 802.3BT PD WITH INTEGRATED DC DC Power - Max: 71 W Number of Channels: 1 Part Status: Active Auxiliary Sense: No Supplier Device Package: 32-QFN (5x5) Standards: 802.3at (PoE+), 802.3bt Internal Switch(s): No Type: Controller (PD), DC/DC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-QFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI34071-A01-GMR | Skyworks Solutions | 17 W 803.3bt PoE PSE and PD Solutions | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI34071AC12V8KIT | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI34071AC12V8KIT | Skyworks Solutions | SI34071AC12V8KIT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071AC5V8KIT | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI34071AC5V8KIT | Skyworks Solutions Inc. | Description: SI34071 FORWARD CONVERTER EVB Part Status: Active Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: Si34071 Type: Power Management Function: Power Over Ethernet (POE), PSE Packaging: Box | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI34071FW24V7KIT | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools Isolated 802.3bt 62W 24V PoE PD Eval Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071WA5V8KIT | Silicon Laboratories | SI34071WA5V8 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI34071WA5V8KIT1 | Skyworks Solutions, Inc. | Power Management IC Development Tools Class 8, 5V forward converter evaluation kit for Si34071 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3407DV | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7.5A | auf Bestellung 81426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-E3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 | auf Bestellung 57482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si3407DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V | auf Bestellung 53128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si3407DV-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 4.2W Case: SC74; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-GE3 . | VISHAY | Description: VISHAY - SI3407DV-T1-GE3 . - P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6 tariffCode: 85411000 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | auf Bestellung 4223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3407HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3407HE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3407HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407HE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3410BDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3410DV | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-E3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si3410DV-T1-GE3 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI3410DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 15679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3410DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V | auf Bestellung 12997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si3410DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6 | auf Bestellung 17212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3410DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 15679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3415-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3415-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V | auf Bestellung 20140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3415-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3415A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs -20V, -4.2A,P Channe l Mosfet | auf Bestellung 3389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3415A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3415A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tj) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 6994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3415A-TP | MCC Corp. | P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET P-Ch 20Vds 12Vgs 1.3W -5.6A -23A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415BS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MCC P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415BS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415C-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 60000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415CHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3415CHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3415CHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415CHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3415CHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W | auf Bestellung 5740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3415D-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: SMALL SINGAL MOSFETS,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3415U-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V | auf Bestellung 10222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 | auf Bestellung 43145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3417DV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3420-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
