Produkte > AUI
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| AUIRLR3410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLR3410TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLR3410TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLR3410TRL | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLR3410TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 97725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLR3410TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms | auf Bestellung 11779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLR3636TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRL | Infineon | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AUIRLR3636TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3705Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3705Z | International Rectifier | N-MOSFET 55V 42A 8mΩ 130W AUIRLR3705Z International Rectifier TAUIRLR3705Z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AUIRLR3705Z | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3705ZTR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3705ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3705ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3705ZTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3915 | Infineon / IR | MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3915 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3915TR | Infineon / IR | MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3915TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3915TRL | Infineon Technologies | MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLR3915TRR | Infineon / IR | MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLS3034 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLS3034 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRLS3034 - AUIRLS3034 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 12200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLS3034 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLS3034 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 243A Power dissipation: 375W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 108nC On-state resistance: 1.7mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034-7P | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034-7P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRLS3034-7P - AUIRLS3034 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 23010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLS3034-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLS3034-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034-7TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLS3034-7TRL | Infineon | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AUIRLS3034-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | auf Bestellung 3689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLS3034-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLS3034-7TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLS3034TRL | Infineon Technologies | MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3034TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036 | Infineon Technologies | MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7P | Infineon / IR | MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7TRL | Infineon / IR | MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036-7TRR | Infineon / IR | MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036TRL | Infineon / IR | MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3036TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3114Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3617 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3114Z | Infineon Technologies | MOSFET 40V 42A 4.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3114ZTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3114ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET 40V 42A 4.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS3114ZTRR | Infineon / IR | MOSFET 40V 42A 4.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030 | Infineon / IR | MOSFET 100V 180A 4.3 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | auf Bestellung 3812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030-7P | Infineon / IR | MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030-7P | International Rectifier | AUIRLS4030-7P IRLS4030-7PPbF MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030-7TRL | Infineon / IR | MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | auf Bestellung 716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030-7TRR | Infineon / IR | MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030TRL | Infineon / IR | MOSFET 100V 180A 4.3 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS4030TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS8409-7P Produktcode: 170662
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AUIRLS8409-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16488 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 500A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRLS8409-7P | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS8409-7TRL | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLS8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16488 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLSL3036 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLSL3036 | Infineon / IR | MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU024Z | Infineon / IR | MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU024Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 16A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU024Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 13425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLU2905 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 55 / 60 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU2905 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU2905 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU3110Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU3110Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU3114Z | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 1668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AUIRLU3114Z | Infineon Technologies | Description: AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLU3114Z | International Rectifier | Description: AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRLU3114Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |