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BUK7K32-100EXNexperiaMOSFETs BUK7K32-100E/SOT1205/LFPAK56D
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BUK7K32-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1500 Stücke:
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1500+1.07 EUR
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BUK7K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 794pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.76 EUR
50+1.32 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K35-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20.7 A, 20.7 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.43 EUR
77+3.03 EUR
116+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 794pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 95A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNexperiaMOSFETs BUK7K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K35-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K35-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20.7 A, 20.7 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
116+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K3R7-40NXNexperiaMOSFETs BUK7K3R7-40N/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2 EUR
100+1.8 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
1500+1.25 EUR
3000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K3R7-40NXNexperia USA Inc.Description: BUK7K3R7-40N/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
50+2.27 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K3R7-40NXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K3R7-40NX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 105 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 105A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 97W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
63+3.69 EUR
102+2.11 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K3R7-40NXNexperia USA Inc.Description: BUK7K3R7-40N/SOT1205/LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K3R7-40NXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 105A 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
74+3.15 EUR
112+1.93 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 15A; Idm: 84A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK56D; SOT1205
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.82 EUR
50+1.36 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K45-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0376ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
112+1.93 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K45-100EXNexperiaMOSFETs BUK7K45-100E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.88 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 15.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 15.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EXNexperiaMOSFETs BUK7K52-60E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
1500+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 15.4A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K52-60EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 71A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 71A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 101mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R1-30ENexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R1-30E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R1-30E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 340A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R1-30E,115NexperiaMOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D Транзистори
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BUK7K5R1-30E,115NexperiaMOSFETs BUK7K5R1-30E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+1.81 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R1-30E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R1-30E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.71 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R6-30E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R6-30E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
50+2.15 EUR
100+1.93 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BUK7K5R6-30E,115NexperiaMOSFETs BUK7K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 1336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+1.88 EUR
100+1.67 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
1500+1.11 EUR
3000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R6-30E,115NXP SemiconductorsBUK7K5R6-30E,115
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K5R6-30E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK7K6R2-40E/1XNexperiaBUK7K6R2-40E/1X
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+3.02 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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BUK7K6R2-40E/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET 40V 40A LFPAK56D
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40E/1XNexperiaMOSFETs
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BUK7K6R2-40E/CXNXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 56LFPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK7K6R2-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K6R2-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUK7K6R2-40EXNexperiaMOSFETs BUK7K6R2-40E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 4430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.94 EUR
1500+0.93 EUR
3000+0.9 EUR
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BUK7K6R2-40EX
Produktcode: 170638
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; Idm: 308A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 308A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.65 EUR
130+1.32 EUR
143+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.38 EUR
143+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K6R2-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
53+4.39 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R2-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115NexperiaMOSFETs BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 4147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3 EUR
10+1.43 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.88 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K6R8-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
98+2.39 EUR
146+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
50+1.64 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+2.58 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET 40V 40A LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E/1XNexperiaBUK7K6R8-40E/1X
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.87 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K6R8-40E/1XNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K89-100E/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET 100V 13A LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K89-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 811pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 5608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.78 EUR
50+1.33 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K89-100EXNexperiaMOSFETs BUK7K89-100E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K89-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 811pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.86 EUR
4500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K89-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K89-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40ENexperiaMOSFET 40V Mosfet Dual N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K8R7-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
75+3.11 EUR
114+1.89 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 22.5A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 22.5A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
50+1.34 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BUK7K8R7-40EXNexperiaMOSFETs BUK7K8R7-40E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.18 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.71 EUR
1500+0.7 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7K8R7-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
114+1.89 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7K8R7-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L06-34ARC
Produktcode: 147504
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L06-34ARC,127
Produktcode: 156116
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L06-34ARC,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L0634ARC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK7L11-34ARCNXP SemiconductorsMOSFETs TRENCHPLUS MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L11-34ARC
Produktcode: 110898
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L11-34ARC,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L11-34ARC,127NXP SemiconductorsMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L11-34ARC/C3,1NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L11-34ARC/C4,1NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7L1134ARC
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M10-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M10-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1223+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M10-40EXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 11.0 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.96 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
1500+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M10-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
50+0.93 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7M10-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH