Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB50CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | auf Bestellung 1544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | auf Bestellung 1544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263 Application: automotive industry Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 13.1mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 100W Gate charge: 64nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N10S3L16ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R140CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 1709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 192W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | auf Bestellung 1346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.1A Power dissipation: 25W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 192W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R199CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 213 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R199CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Power dissipation: 139W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 15656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R250CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 13A D2PAK-2 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R250CP | infineon | 07+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R250CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R250CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 114W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R299CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 50165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | auf Bestellung 65886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB50R299CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 104W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB530N15N3GATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPB530N15N3GATMA1 - IPB530N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 64 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB600N25N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB600N25N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7 | Infineon | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R040C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R040C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | auf Bestellung 2508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7 | Infineon Technologies | IPB60R040CFD7 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R040CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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