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Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.29 EUR
25+	9.63 EUR
50+	8.22 EUR
200+	7.54 EUR
500+	7.44 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 602 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.27 EUR
10+	9.65 EUR
100+	7.03 EUR
500+	6.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 300W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R041CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.59 EUR
10+	13.42 EUR
100+	10.52 EUR
500+	9.32 EUR
1000+	8.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	11.09 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	20.92 EUR
15+	16.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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IPB65R041CFD7ATMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

auf Bestellung 377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.11 EUR
10+	12.42 EUR
100+	9.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB65R041CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	20.92 EUR
15+	16.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	29.75 EUR
10+	28.21 EUR
20+	26.85 EUR
50+	25.82 EUR
100+	24.88 EUR
250+	23.85 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPB65R045C7

Infineon

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB65R045C7

MOSFETs N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 482 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	25.23 EUR
25+	23.72 EUR
50+	22.26 EUR
100+	21 EUR
250+	20.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	17.36 EUR
15+	12.15 EUR
25+	11.66 EUR
50+	11.29 EUR
100+	10.01 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 914 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.17 EUR
12+	20.4 EUR
15+	15.21 EUR
50+	13.79 EUR
100+	12.38 EUR
250+	12.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	16.03 EUR
15+	11.38 EUR
25+	10.77 EUR
50+	10.26 EUR
100+	7.97 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	10.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	11.33 EUR
100+	10.6 EUR
500+	9.83 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

auf Bestellung 914 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	24.37 EUR
13+	18.81 EUR
16+	13.86 EUR
50+	12.59 EUR
100+	11.33 EUR
250+	11.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	10.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	9.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	12.36 EUR
50+	11.85 EUR
100+	11.57 EUR
200+	11.35 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	9.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 2342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.4 EUR
10+	13.55 EUR
100+	10.95 EUR
500+	10.83 EUR
1000+	10.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 4437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.44 EUR
10+	17.64 EUR
100+	13.22 EUR
500+	12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R050CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R050CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.84 EUR
14+	16.59 EUR
16+	13.63 EUR
50+	12.32 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R050CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.4 EUR
10+	11.19 EUR
100+	8.25 EUR
500+	8.19 EUR
1000+	7.66 EUR

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IPB65R050CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.84 EUR
14+	16.59 EUR
16+	13.63 EUR
50+	12.32 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB65R065C7

MOSFETs N-Ch 700V 145A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R065C7

Infineon

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB65R065C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R065C7ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 145A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	8.2 EUR
6000+	7.41 EUR
9000+	6.78 EUR
12000+	6.3 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R065C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.02 EUR
24+	7.35 EUR
100+	6.1 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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IPB65R065C7ATMA2

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.73 EUR
10+	10.7 EUR
100+	7.88 EUR
500+	7.77 EUR
1000+	7.27 EUR

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IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.34 EUR
24+	7.16 EUR
50+	6.96 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.77 EUR
15+	15.71 EUR
17+	12.9 EUR
50+	11.67 EUR
100+	10.44 EUR
250+	10.22 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	7.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

auf Bestellung 2829 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.47 EUR
10+	9.12 EUR
100+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.77 EUR
15+	15.71 EUR
17+	12.9 EUR
50+	11.67 EUR
100+	10.44 EUR
250+	10.22 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R075CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R075CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R075CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

auf Bestellung 925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.9 EUR
10+	16.2 EUR
100+	13.49 EUR
500+	11.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R075CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.92 EUR
10+	6.56 EUR
100+	4.7 EUR
500+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.49 EUR
28+	8.4 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.35 EUR
33+	5.34 EUR
100+	4.4 EUR
500+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1015 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.3 EUR
10+	7.58 EUR
100+	5.46 EUR
500+	5.02 EUR
1000+	4.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 84 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R090CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7

MOSFETs N-Ch 700V 100A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA1

MOSFETs N-Ch 700V 100A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.28 EUR
500+	4.93 EUR
1000+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1066 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.91 EUR
10+	7.79 EUR
100+	5.78 EUR
500+	5.38 EUR
1000+	5.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.28 EUR
500+	4.93 EUR
1000+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 114000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	10.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R095C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

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IPB65R095C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R099C6

MOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2

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IPB65R099C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R099C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

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IPB65R099C6ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2

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IPB65R099C6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™

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IPB65R099CFD7A

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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IPB65R099CFD7A

IPB65R099CFD7A

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25+	12.71 EUR
50+	11.96 EUR
100+	11.29 EUR
250+	10.79 EUR
500+	10.33 EUR
1000+	9.84 EUR

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IPB65R099CFD7AATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IPB65R099CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm

auf Bestellung 611 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	13.97 EUR
27+	8.63 EUR
100+	5.95 EUR
500+	5.44 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPB65R099CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 260000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	6.53 EUR
128000+	5.9 EUR
192000+	5.4 EUR
256000+	5.01 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R099CFD7AATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPB65R099CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R099CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm

auf Bestellung 611 Stücke:

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18+	13.97 EUR
27+	8.63 EUR
100+	5.95 EUR
500+	5.44 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPB65R099CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R099CFD7AATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 387 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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10+	8.6 EUR
100+	6.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R099CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 795 Stücke:

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10+	8.19 EUR
100+	6.24 EUR
500+	5.46 EUR
1000+	4.96 EUR
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R099CFD7AATMA1