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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5551C
Produktcode: 94668
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CBUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CBUonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CSM-JQR-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CSM-JQR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin CLLCC-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CYTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551G - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 197314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551GOn SemiconductorNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 , Pbfree Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551GON05+06+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 182340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551N7SOT-23
auf Bestellung 15100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5551RL1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1GON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 97387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1GON Semiconductor
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 103387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RL1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551RL1G - 2N5551RL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRAGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRMonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRMON05+06+
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRMGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRMGON05+06+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 278000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
2001+0.098 EUR
4001+0.068 EUR
20001+0.063 EUR
40001+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 10513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 278000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.11 EUR
2001+0.088 EUR
4001+0.061 EUR
20001+0.055 EUR
40001+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551RLRPG - 2N5551RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1021+0.17 EUR
1516+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1021 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
100000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
100000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 414513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.18 EUR
1021+0.17 EUR
1516+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551SHRSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551SW-STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Tonsemi NPN/150V/0.6A/80-250
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
741+0.31 EUR
1087+0.2 EUR
1473+0.14 EUR
1662+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 29551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 64966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
317+0.27 EUR
365+0.24 EUR
528+0.17 EUR
618+0.14 EUR
811+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAONS/FAINPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TA.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404
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auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TARonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TAR_QDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
354+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.17 EUR
1740+0.098 EUR
2500+0.065 EUR
3323+0.048 EUR
3334+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.096 EUR
4000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 11413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1704+0.1 EUR
1725+0.1 EUR
1743+0.098 EUR
1761+0.094 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 1704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 10260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 11413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1653+0.11 EUR
1670+0.1 EUR
1687+0.096 EUR
1704+0.092 EUR
1725+0.087 EUR
1743+0.083 EUR
1761+0.079 EUR
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 1653 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 63591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.096 EUR
4000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.42 EUR
724+0.24 EUR
1108+0.14 EUR
1401+0.11 EUR
1588+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
416+0.43 EUR
418+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 416 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.32 EUR
336+0.25 EUR
609+0.14 EUR
935+0.092 EUR
1097+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1108+0.15 EUR
1401+0.12 EUR
1588+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+0.43 EUR
414+0.4 EUR
415+0.39 EUR
416+0.38 EUR
418+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFRonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 6263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Y
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YBOFAIRCHILD
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YBUOn SemiconductorNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YBUFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YBUonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 14490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
10000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YBVkec02+
auf Bestellung 25800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YIUTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551YTAonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551ZL1onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
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2N5551ZL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551ZL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5551ZL1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551ZL1G - 2N5551ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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2N5551ZL1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551_D10Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2N5551_D74ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N5551_J05ZonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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2N5551_J18ZonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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