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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS9410
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9410NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9412 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 116238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
auf Bestellung 109500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
947+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 947 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
947+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 947 Stücke
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FDS9412FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
947+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 947 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
auf Bestellung 116238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
910+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
947+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 947 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412-NLFAIRCHILDSOP8 04+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412AFairchild
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412NLFAIRCHILD
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9412_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9424FAIRCHILDSOP
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9424NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9426AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431FSCSOP-8
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431Fairchild SemiconductorDescription: P CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AFairchild/ON SemiconductorP-канальный ПТ (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W)... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL P-CH -20V
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.51 EUR
100+1.05 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A
Produktcode: 38296
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 30388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 8.5nC
On-state resistance: 0.22Ω
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.51 EUR
72+1.19 EUR
82+1.05 EUR
114+0.75 EUR
131+0.65 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.4 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431ATECH PUBLICSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.43 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.87 EUR
225+0.76 EUR
241+0.68 EUR
245+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AONS/FAISO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431ATECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm; 7,5A; 2,4W; -50°C~150°C; FDS9431A TFDS9431a TEC
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO8 SINGLE PCH 20V
auf Bestellung 3528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A-F085CTonsemiDescription: P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET,
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A-TF085onsemiDescription: P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET,
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431A_NLFSC09+
auf Bestellung 10318 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9431NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435FSCSOP
auf Bestellung 100000 Stücke:
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FDS9435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1202+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 80mOhm; 5,3A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS9435A TFDS9435a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS9435AonsemiMOSFETs SO-8 SGL P-CH -30V
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 4582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
auf Bestellung 22652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS9435AONS/FAISO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A
Produktcode: 36583
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 528/10
Montage: SMD
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.68 EUR
10+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
92+0.93 EUR
134+0.63 EUR
157+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.54 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A-NBAD008ON Semiconductor30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A-NBAD008onsemiDescription: 30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A-NBAD008ON Semiconductor30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A-NBAD008ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A-NBAD008 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A-NLFDS
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435ANBAD008onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tj)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435AZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A_NBAD008onsemi / FairchildArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9466ASN1FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9466SFAI03+
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9466SNFAI03+
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9912AFAIRCHILDSOP
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926KEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 2.5V
auf Bestellung 29627 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.38 EUR
100+1.01 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AONS/FAIMOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A
Produktcode: 34127
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/7
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
verfügbar: 270 St.
  • 12 St. - stock Köln
  • 258 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.68 EUR
10+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AON-SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9926A TFDS9926a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 6,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 13 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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