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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7483A
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483ADP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483ADP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483DPVISHAY09+
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483DP-T1VISHAY0347+
auf Bestellung 11849 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7483DP-T1-E3VISHAY0422+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7485DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 20A 5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7485DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7149ADP-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7485DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7485DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7485DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7149ADP-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7485DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DPVISHAY10+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 27663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+4 EUR
100+3.03 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
3000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.86 EUR
70+2.45 EUR
100+2.07 EUR
250+1.98 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.75 EUR
10+4.4 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Мікропроцесори, мікроконтролери
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 69222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+4.14 EUR
100+3.03 EUR
250+2.76 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.28 EUR
3000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3(транзистор)
Produktcode: 53382
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7491DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7491DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7491DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7495DPVISHAY09+
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7495DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7495DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI749CAD
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7500
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7501DN-T1VISHAY0508+ QFN
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7501DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 5349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7501DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7501DN-T1-GE3
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7501DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7501DV
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI750X3Belden Inc.Description: 2 PIECE X SERIES SPLICE CONNEC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7530DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7530DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7530DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7530DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7530DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
104+1.64 EUR
112+1.48 EUR
250+1.44 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.21 EUR
6000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 121057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 4851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 16112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
104+1.57 EUR
112+1.4 EUR
250+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1.07 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 121057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DPVishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DPVISHAY09+
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1Vishay728
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDual MOSFETs N-and P-CHANNEL 30V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540DP-T1-GE3 - MOSFET, N & P CHANNEL, 12V, 7.6A, POWERP
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7600JAPAN
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7601DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7601DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7606DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GEVishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 14606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.68 EUR
100+1.96 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.55 EUR
3000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
auf Bestellung 40040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.23 EUR
6000+1.14 EUR
9000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 40728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.49 EUR
6000+1.34 EUR
12000+1.23 EUR
18000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.3 EUR
6000+1.21 EUR
9000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.45 EUR
6000+1.42 EUR
9000+1.38 EUR
15000+1.33 EUR
24000+1.3 EUR
30000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.82 EUR
215+0.81 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.04 EUR
186+0.92 EUR
187+0.88 EUR
188+0.83 EUR
213+0.71 EUR
250+0.68 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
auf Bestellung 26012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.92 EUR
193+0.9 EUR
194+0.88 EUR
217+0.76 EUR
250+0.75 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 9754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.59 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
6000+0.76 EUR
9000+0.73 EUR
15000+0.7 EUR
21000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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