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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3433CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
24+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6A (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 5.2A
auf Bestellung 119453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
489+0.36 EUR
522+0.31 EUR
574+0.27 EUR
587+0.26 EUR
621+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 489 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
26+0.83 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 8227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
522+0.33 EUR
574+0.3 EUR
587+0.29 EUR
621+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 522 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 7053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.64 EUR
429+0.39 EUR
445+0.37 EUR
666+0.24 EUR
673+0.23 EUR
776+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.39 EUR
666+0.26 EUR
673+0.25 EUR
776+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
auf Bestellung 4626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433DVVISHAY09+
auf Bestellung 180018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433DV-T1VISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433DV-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433DVT1
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 54000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434BDY-T1-E3
auf Bestellung 3478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434DVVISHAYSOT23-6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434DV-T1
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434DV-T1-E3VISHAY0523NO
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3434DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3435DV-T1VISHAY
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3435DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 4.8A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3435DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 150-V (D-S)
auf Bestellung 36543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.52 EUR
100+1.04 EUR
500+0.92 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.45 EUR
100+1 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
auf Bestellung 31622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.94 EUR
213+0.8 EUR
215+0.76 EUR
258+0.61 EUR
261+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 65581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1.02 EUR
100+0.81 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
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3000+0.67 EUR
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SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.61 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.61ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI3437DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
141+1.64 EUR
213+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 122714 Stücke:
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2+1.83 EUR
10+0.95 EUR
100+0.71 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3437DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 10245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
132+1.76 EUR
199+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-E3VISHAYSOT26
auf Bestellung 39990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.5A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.68 EUR
100+1.21 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
13+1.65 EUR
100+1.19 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.98 EUR
187+0.88 EUR
219+0.71 EUR
250+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
auf Bestellung 11993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
16+1.38 EUR
100+1.08 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 34559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.44 EUR
100+1.13 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3438DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDW-TPMicro Commercial CoDescription: N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 20V N-Ch 12Vgs 0.75A P-Ch -20V 12Vgs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDW-TPMicro Commercial CoDescription: N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
28+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.1 EUR
30000+0.1 EUR
45000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.1 EUR
30000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDWA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
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SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
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SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
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SI3439KDWA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
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SI3439KDWA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI3439KDWAS-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-363S
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3439KDWAS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,SOT-363S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 325mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 16V, 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3439KU6-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, DFN1010B-6
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SI3440VISHAY
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SI3440ADV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
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3000+0.23 EUR
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