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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BC560BA
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560BBUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560BBUROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560BBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560BTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560BTAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560BTAonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC560BTAOn SemiconductorTRANS PNP 45V 0.1A TO92-3 Транзистори
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BC560BUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560BUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560ConsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560C
Produktcode: 162667
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CLGEPNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CZEHUATransistor PNP; 800; 500mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC560CBU; BC560CG; BC560C ZEHUA TBC560c ZEH
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CLGEPNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 800; 625mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC560CBU; BC560CG; BC560C JSMICRO TBC560c JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560ConsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC560CCDILPNP, TO-92_BULK Транзистори
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BC560CBFAIRCHILD
auf Bestellung 68250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC560CBURenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
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BC560CBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560CBUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Box
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CGOn SemiconductorPNP, TO-92_BULK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CGonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC560CGonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC560CG
Produktcode: 31499
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 250 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 800
ZCODE: 8541 21 00 90
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1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 500mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Power: 0.5W
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BC560CTAonsemiBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560CTAONS/FAIPNP, 45 V, 100 mA, TO-92 Транзистори
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BC560CTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CTAOn SemiconductorBC560CTA Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CTAonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560CTA Transistor
Produktcode: 198500
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BC560CTARonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CTARonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BC560CZL1onsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CZL1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CZL1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CZL1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CZL1GInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560C_D74Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560C_D74ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560C_J35ZonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560C_J35Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP LOW NOISE AMPLIFIER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560C_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560_J35ZonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BC56PA/SOT1061/HUSON3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.65W; DFN2020-3,SOT1061
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.65W
Current gain: 63...250
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 180MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-3; SOT1061
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC56PA
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
407+0.57 EUR
642+0.33 EUR
863+0.25 EUR
1115+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 5792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
231+1 EUR
457+0.46 EUR
690+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.65W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
231+1 EUR
457+0.46 EUR
690+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061 80V 1A NPN M EDPWR BJT
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.8 EUR
100+0.5 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.65W; DFN2020-3,SOT1061
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.65W
Current gain: 63...250
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 180MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-3; SOT1061
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PA115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BC56PA - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PAS-QXNexperia USA Inc.Description: BC56PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PAS-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PAS115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PAST-QXNexperia USA Inc.Description: BC56PAST-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PAST-QXNexperia USA Inc.Description: BC56PAST-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PAST-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.62 EUR
100+0.36 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASTXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56PASTX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC56PAST Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
210+1.11 EUR
332+0.64 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASTXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASTXNexperia USA Inc.Description: BC56PAST/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASTXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56PASTX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
210+1.11 EUR
332+0.64 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
274+0.84 EUR
424+0.5 EUR
614+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061 80V 1A NPN MEDPWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+0.45 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A DFN2020D-3
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 5715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1085+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
274+0.84 EUR
424+0.5 EUR
614+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4894+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4894 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A DFN2020D-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC5705KFBBROAD07+ BGA;
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687AEUFCSR
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687B-ITB-E4
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687B-ITB-E4QualcommDescription: IC RF TXRX+MCU BLE 169TFBGA
Data Rate (Max): 3Mbps
Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3
Power - Output: 8dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 8MB ROM, 48kB RAM
Frequency: 2.4GHz
Package / Case: 169-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
RF Family/Standard: Bluetooth
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687B-ITB-E4DCSRBGA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687BUCSR-PBF07+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-ATB-E4QualcommDescription: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 144TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 144-TFBGA
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Voltage - Supply: 2.7V ~ 4.5V
Power - Output: 6.5dBm
Protocol: Bluetooth v2.0 +EDR, Class 2 and 3
RF Family/Standard: Bluetooth
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-ATB-E4QualcommDescription: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 144TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 144-TFBGA
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Voltage - Supply: 2.7V ~ 4.5V
Power - Output: 6.5dBm
Protocol: Bluetooth v2.0 +EDR, Class 2 and 3
RF Family/Standard: Bluetooth
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-ATB-E4QualcommBLUECORE 5-MULTIMEDIA EXTERNAL, SINGLE CHIP BLUETOOTH V2.1 + EDR SYSTEM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-ATB-E4-TQualcommDescription: IC RF TXRX
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-GITB-E4QualcommSINGLE CHIP BLUETOOTH V2.1 + EDR SYSTEM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-GITB-E4QualcommDescription: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 169TFBGA
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I²C, I²S, UART, USB
RF Family/Standard: Bluetooth
GPIO: 16
Supplier Device Package: 169-TFBGA (8x8)
Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3
Power - Output: 8dBm
Voltage - Supply: 1.5V
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 48kB RAM
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -90dBm
Package / Case: 169-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Data Rate (Max): 3Mbps
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-GITB-E4RF360Qualcomm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC57E687C-GITB-E4QualcommDescription: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 169TFBGA
Memory Size: 48kB RAM
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -90dBm
Package / Case: 169-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I²C, I²S, UART, USB
RF Family/Standard: Bluetooth
GPIO: 16
Supplier Device Package: 169-TFBGA (8x8)
Data Rate (Max): 3Mbps
Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3
Power - Output: 8dBm
Voltage - Supply: 1.5V
DigiKey Programmable: Not Verified
Type: TxRx + MCU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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