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Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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310+	2.11 EUR
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IPP65R420CFDXKSA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

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IPP65R420CFDXKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP65R600C6

MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6

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IPP65R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

auf Bestellung 1791 Stücke:

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462+	1.36 EUR

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IPP65R600C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

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315+	1.7 EUR

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IPP65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR

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IPP65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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224+	0.77 EUR

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IPP65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR
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10000+	1.15 EUR
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IPP65R600C6XKSA1

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IPP65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR

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IPP65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR

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IPP65R600E6

Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

auf Bestellung 17500 Stücke:

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462+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 462 Stücke

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IPP65R600E6

MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6

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IPP65R600E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3

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IPP65R600E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR

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IPP65R600E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 18000 Stücke:

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394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR
10000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 394 Stücke

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IPP65R600E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

auf Bestellung 24580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

462+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 462 Stücke

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IPP65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A TO220-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 410 Stücke:

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IPP65R660CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 4564 Stücke:

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460+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 460 Stücke

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IPP65R660CFD

Infineon technologies

auf Bestellung 500 Stücke:

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IPP65R660CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IPP65R660CFDAAKSA1

Infineon / IR

MOSFET N-Ch 650V 6A TO220-3

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IPP65R660CFDAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP65R660CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP65R660CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

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IPP65R660CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N04S3-07

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 425 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N04S3-07

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N04S307AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N04S4-06

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 7000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N04S406AKSA1

Description: MOSFET_(20V,40V)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V

auf Bestellung 49890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

304+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 304 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N04S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 7000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S3-12

MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 373 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S312AKSA1

Description: INFINEON - IPP70N10S312AKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0097 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S312AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S3L-12

MOSFETs N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.41 EUR
10+	4.93 EUR
100+	3.47 EUR
250+	3.37 EUR
500+	3.27 EUR
2500+	3.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
10+	5.05 EUR
100+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S3L12AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S3L12AKSA2

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10S3L12AKSA2

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10SL-16

Infineon

Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10SL-16

MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 SIPMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N10SL16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP70N12S311AKSA1

MOSFETs N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 621 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	4.44 EUR
25+	2.68 EUR
100+	2.57 EUR

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IPP70N12S311AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.1 EUR
50+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP70N12S311AKSA2

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP70N12S311AKSA2

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP70N12S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)

auf Bestellung 39177 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

218+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

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IPP70N12S3L12AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP70N12S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP70P04P4-09

MOSFET P-Ch -40V -70A TO220-3 OptiMOS-P2

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IPP70P04P409AKSA1

MOSFET P-CHANNEL

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IPP77N06S2-12

MOSFET N-Ch 55V 77A TO220-3 OptiMOS

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP77N06S212AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP77N06S212AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 172 Stücke

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IPP77N06S212AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.48 EUR
100+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

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IPP77N06S212AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP77N06S212AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.8 EUR
50+	4.58 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IPP77N06S212AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.52 EUR
100+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

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IPP77N06S212AKSA2

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.13 EUR
10+	5.05 EUR
25+	2.73 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.93 EUR

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IPP77N06S212AKSA2

Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.43 EUR
67+	3.5 EUR
100+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP77N06S212AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP77N06S212AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.21 EUR
50+	2.78 EUR
100+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP77N06S3-09

Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 13A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP80CN10NG

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80CN10NGXKSA1

Description: PFET, 13A I(D), 100V, 0.08OHM, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-123
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

443+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 443 Stücke

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IPP80N03S4L-03

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.35 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.5 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.7 EUR
2500+	2.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N03S4L-04

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N03S4L03AKSA1

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.35 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.5 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.7 EUR
2500+	2.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N03S4L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N03S4L03AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N03S4L03AKSA1 - IPP80N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 53086 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

204+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 204 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N03S4L03AKSA1

Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N03S4L04AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N03S4L04AKSA1 - IPP80N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N03S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2-H4

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2-H4

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2H4AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2H4AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2L-03

08+ SSOP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2L-03

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2L03AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N04S2L03AKSA1 - IPP80N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12579 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 244 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

173+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 173 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S2L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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IPP80N04S3

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S3-03

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

345+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 345 Stücke

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IPP80N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S3-04

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S3-04

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S3-06

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T

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IPP80N04S3-H4

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T

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IPP80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S303AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N04S303AKSA1 - IPP80N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

308+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 308 Stücke

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IPP80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

218+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S304AKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V

auf Bestellung 452 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

278+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP80N04S306AKSA1