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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 67389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 4112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
96+2.44 EUR
124+1.74 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
auf Bestellung 34421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
50+1.51 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.05 EUR
181+0.93 EUR
183+0.88 EUR
207+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.86 EUR
9000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 4262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
124+1.74 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3Vishay Siliconix30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3-AVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7629DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.86 EUR
6000+0.81 EUR
9000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7629DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7629DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 35A 52W
auf Bestellung 26795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
6000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7629DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 10 V
auf Bestellung 24057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
13+1.69 EUR
100+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
85+2.03 EUR
86+1.96 EUR
87+1.9 EUR
102+1.59 EUR
250+1.55 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7633DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
110+1.95 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7633DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
109+2.14 EUR
131+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-Channel MOSFETs 20V 60A 104W Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
85+1.99 EUR
86+1.89 EUR
87+1.81 EUR
102+1.46 EUR
250+1.39 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.02 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BVISHAY09+
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-E3VISHAY07NOPB
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+2.73 EUR
100+2.39 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.74 EUR
3000+1.7 EUR
6000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+3.24 EUR
100+2.58 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7634BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7634BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7634DP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7634DP-T1-E3VISHAYQFN8 0802+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7635DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7635DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7635DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7149ADP-T1-GE3
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SI7636VISHAY09+
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7636DPVISHAY09+
auf Bestellung 6458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7636DP-F-E3VISHAY2005PB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7636DP-T1
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7636DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7636DP-T1-BE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 17A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7636DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 28A 0.004Ohm
auf Bestellung 4201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.73 EUR
100+2.26 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.93 EUR
3000+1.78 EUR
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SI7636DP-T1-E3VishaySI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
75+2.24 EUR
100+1.92 EUR
250+1.88 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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SI7636DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7636DP-T1-E3VishaySI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
75+2.15 EUR
100+1.82 EUR
250+1.74 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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SI7636DP-T1-E3VishaySI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7636DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7636DT-T1VISHAY
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7637DP-T1-E3
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7652DPVISHAY05+
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7652DP-T1-E3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7652DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7654=GC7654
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7655ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 7452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
125+1.87 EUR
145+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.17 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
auf Bestellung 14935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
50+1.34 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -100A
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.75 EUR
9000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 7378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
auf Bestellung 7494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.24 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.23 EUR
6000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7658ADP-T1-E3
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+3.83 EUR
100+3.47 EUR
500+2.89 EUR
3000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 80A; 83W
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3VishaySI7658ADP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3VishaySI7658ADP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
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SI7658ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
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SI7658ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7658ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 5.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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SI7658DP-T-1E3
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SI7658DP-T1-E3VISHAY
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SI7660N/A
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SI7660CJ09+ CDIP8
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SI7660DYVISH
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SI7660DY-T1-E3VISHAY
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SI7661
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SI7661ACAN
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SI7661AASILICONIX
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SI7661AA/883
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SI7661AA883SILICONIX
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Si7661AKAnalog Devices / Maxim IntegratedSwitching Voltage Regulators
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Si7661AK+Analog Devices / Maxim IntegratedSwitching Voltage Regulators
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SI7661BASILICONIX
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SI7661BA-4Analog Devices / Maxim IntegratedSwitching Voltage Regulators
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