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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMS10P02R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
81+2.88 EUR
112+1.92 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GONN
auf Bestellung 3644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS10P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS3P03ON07+ SO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS3P03R2ON04+/03
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS3P03R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4101PR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4101PR2onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4107NR2ON2005 SMD8
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4107NR2GON07+ SOP-8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4107NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4107NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4176P
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4176PR2Gon10+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4176PR2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4176PR2G4176P
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177Ponsemi PFET SO8 30V 11.4A 19MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.83 EUR
211+0.8 EUR
228+0.71 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.7 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
176+1.32 EUR
199+1.08 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.4A; Idm: -46A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.4A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GonsemiMOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.75 EUR
100+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2G
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1998 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4177PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.63 EUR
159+1.46 EUR
186+1.15 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4404NR2ON07+ SO-8
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4404NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4404NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NON07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NRON
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NR2ON09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NR2GON09+ DIP
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NR2G-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4503NR2G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 14 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 28V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 108679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NRZ
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4503NSR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4700NR
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4700NR2ON07+ SO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4700NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4700NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4700NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4704NR2
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4704NR2GON02 05
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4705NON09+
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4705NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4705NR2GON Semicondu2005
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4705NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4706N
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4706NG
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4706NR2
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4706NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4706NR2GONSOP8 0733+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4706NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4706NT2G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4800NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
auf Bestellung 24036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1665+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1665 Stücke
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NTMS4800NR2G
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4800NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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NTMS4801NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 9.9A 12.5mOhm
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NTMS4801NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTMS4801NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMS4801NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4802NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTMS4802NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4802NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 4280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
520+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 520 Stücke
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NTMS4807Nonsemi NFET SO8 30V 14.8A 0.061R
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NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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NTMS4807NR2GON09+
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMS4807NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4807NR2G - MOSFET, N-CH, 30V, 14.8A, 150DEG C, 2.3W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 88144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
660+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 660 Stücke
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NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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NTMS4807NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NTMS4807NR2GonsemiMOSFETs NFET SO8 30V 14.8A 0.061R
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4807NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816Nonsemionsemi NFET SO8 30V 11A 0.030R T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.69 EUR
254+0.68 EUR
283+0.6 EUR
286+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.7 EUR
252+0.67 EUR
253+0.64 EUR
254+0.62 EUR
283+0.52 EUR
286+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 2507 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 106224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4816NR2G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.04W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.04W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.88 EUR
158+1.48 EUR
227+0.94 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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