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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4463BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.61 EUR
60+2.86 EUR
100+1.88 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
auf Bestellung 9947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BK
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 64522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
auf Bestellung 11598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 17468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
116+2.01 EUR
174+1.24 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.7 EUR
7500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3SiliconixTransistor P-MOSFET; 20V; 12V; 14mOhm; 18,6A; 5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: SI4463CDY-E3; SI4463CDY-T1-E3; SI4463CDY-GE3; SI4463CDY-T1-GE3 TSI4463cdy
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 17368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
116+2.01 EUR
174+1.24 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463D
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 142228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
10000+1.38 EUR
100000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 18300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
10000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 11635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
10000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V
auf Bestellung 183632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 8924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4463DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 188516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DY-T1SI0006+
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DY-TI
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463M1307CAMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463M1307CAMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463M1307CGMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463M1307CGMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464SI09+ SOP8
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464(Transistor)
Produktcode: 58348
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.95 EUR
16+11.17 EUR
25+10.26 EUR
100+8.82 EUR
490+7.97 EUR
980+7.37 EUR
1470+6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Power - Output: 20dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -126dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
GPIO: 4
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.86 EUR
10+15.24 EUR
25+14.35 EUR
100+13.15 EUR
490+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.95 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FM - HF-Transceiver, 119MHz bis 1.05GHz, 4FSK/4GFSK, FSK/GFSK, MSK/GMSK, OOK, 1.8-3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 119MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.97 EUR
16+15.29 EUR
25+13.36 EUR
50+12.85 EUR
100+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSiLabsRF TXRX+MCU ISM<1GHZ VFQFN-20 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FMR - HF-TXRX, 119MHZ-1.05GHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 119MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.97 EUR
16+15.29 EUR
25+13.36 EUR
50+12.85 EUR
100+12.34 EUR
250+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 4586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.86 EUR
10+15.24 EUR
25+14.35 EUR
100+13.15 EUR
250+12.44 EUR
500+11.94 EUR
1000+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 7267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.28 EUR
10+13.99 EUR
25+13.07 EUR
100+11.98 EUR
250+11.39 EUR
500+11 EUR
1000+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FMR - HF-TXRX, 119MHZ-1.05GHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 119MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.97 EUR
16+15.29 EUR
25+13.36 EUR
50+12.85 EUR
100+12.34 EUR
250+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMR
Produktcode: 60025
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsПриемопередатчик РЧ, F,ГГц = 0.119...1.050, Pвх, Вт = 10/13 мА RX, Pвых, Вт = 20 дБм, Uпит, В = 1.8...3.6,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-20 Очікується: 415 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1X-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
DigiKey Programmable: Not Verified
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SI4464DYVISHAY09+
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4464DY-T1-E3VISHAY05+
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 3146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.26 EUR
100+1.54 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 13284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.75 EUR
91+1.87 EUR
92+1.78 EUR
128+1.23 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
7500+1.09 EUR
12500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.94 EUR
92+1.89 EUR
128+1.33 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
79+2.95 EUR
115+1.87 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.37 EUR
100+1.67 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
115+1.87 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4465ADY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+3.03 EUR
100+2.43 EUR
250+2.32 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 9770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4465ADY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 13.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 1.8
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 6.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 450
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
53+4.45 EUR
56+3.86 EUR
60+3.58 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
213+0.82 EUR
216+0.79 EUR
220+0.76 EUR
223+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
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124+1.43 EUR
210+0.81 EUR
213+0.77 EUR
216+0.73 EUR
220+0.69 EUR
223+0.65 EUR
250+0.61 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
auf Bestellung 9470 Stücke:
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1+5.07 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.64 EUR
5000+1.59 EUR
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SI4465ADYT1
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SI4465ADYT1E3SIVHAY
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465DY
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4465DYVishay / SiliconixMOSFETs 8V 14A 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4465DY-T1SILICONIX
auf Bestellung 50 Stücke:
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Si4465DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4465DYADY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 100000 Stücke:
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SI4465DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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