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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMS4816NR2G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.04W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.88 EUR
158+1.48 EUR
227+0.94 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4840NR2G
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4840NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4872NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A/10.2A 8SOIC
auf Bestellung 194350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4872NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4873NFR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4873NFR2GOn SemiconductorN-Channel, 30 V, 11.5A, SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4873NFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4873NFR2G - NTMS4873NFR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 66286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4873NFR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC
auf Bestellung 66286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4884NR2G
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4916NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4916NR2GONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4916NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
auf Bestellung 22436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4916NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4917NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4920NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
auf Bestellung 8435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
872+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 872 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4920NR2GonsemiMOSFET 30V 136A 4.3 mOhm Single N-Chan SO-8
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.59 EUR
100+1.32 EUR
250+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4920NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.1A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4935NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3639 pF @ 25 V
auf Bestellung 198360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4935NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3639 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4937NR2GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 112A 6.5 mOhm Single
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
auf Bestellung 191045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
419+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4937NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4939NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 5935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4939NR2GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
auf Bestellung 199308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
673+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 673 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4939NR2GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 100A 8.4 mOhm Single
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4939NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4N01ON07+ SO-8
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4N01R2ON0049+
auf Bestellung 26215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4N01R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4N01R2 - NTMS4N01R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4N01R2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs (Max): ±10V
auf Bestellung 17191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1285+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4N01R2G
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4N01R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4N01R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
auf Bestellung 4168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
950+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4P01R2onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS4P01R2onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5835NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5835NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
auf Bestellung 22538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1665+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5N02MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5N03MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5P02ON07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5P02R2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
760+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5P02R2ON
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5P02R2GON
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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11+1.95 EUR
13+1.74 EUR
100+1.36 EUR
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1000+0.88 EUR
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NTMS5P02R2GOn SemiconductorSO-8 MOSFET Power -20V -5.4A P-Channel Транзистори
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NTMS5P02R2GonsemiMOSFETs -20V -5.4A P-Channel
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100+1.17 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTMS5P02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
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NTMS5P02R2SGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
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1110+0.52 EUR
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NTMS5P02R2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS5P02R2SG - MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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336+0.75 EUR
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NTMS5P02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
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NTMS7N03ON07+ SO-8
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NTMS7N03G
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NTMS7N03R2ON06+ SOIC
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NTMS7N03R2onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
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1519+0.38 EUR
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NTMS7N03R2onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
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NTMS7N03R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
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NTMS7N03R2GON SemiconductorMOSFET 30V 7A N-Channel
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NTMS7N03R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
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NTMS7N03R2GON
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NTMSD2P102MOT09+
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NTMSD2P102LON07+ SO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NTMSD2P102LR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
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NTMSD2P102LR2
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NTMSD2P102LR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102LR2G - NTMSD2P102LR2G, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTMSD2P102LR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
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NTMSD2P102R2
auf Bestellung 40000 Stücke:
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NTMSD2P102R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
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NTMSD2P102R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102R2 - MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMSD2P102R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
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NTMSD2P102R2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102R2SG - MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMSD3P102R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
auf Bestellung 2466 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
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NTMSD3P102R2
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMSD3P102R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMSD3P102R2G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMSD3P102R2SG
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMSD3P102R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
auf Bestellung 25120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMSD3P1SR2
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMSD3P303ON07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMSD3P303R2ONO523
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMSD3P303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTMSD3P303R2G
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMSD6N03R2G
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMSD6N303R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMSD6N303R2ON07+ SO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMSD6N303R2G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMSD6N303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTMSD6N303R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
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NTMSD6N303R2SG
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMSD6N3SR2G
auf Bestellung 25000 Stücke:
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NTMSD6P02R2G
auf Bestellung 50 Stücke:
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