Produkte > BSR
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSR30F | Nexperia USA Inc. | Description: BSR30/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 42257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR31,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 | auf Bestellung 33257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR31,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3 | auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR31,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR31,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR31,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 19800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR31,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR31,135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 8810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR31-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31-QF | Nexperia | BSR31-Q/SOT89/MPT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31-QX | Nexperia | BSR31-Q/SOT89/MPT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR315P H6327 | Infineon | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSR315PH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 5300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm | auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR315PH6327XTSA1 Produktcode: 165852
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm | auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | auf Bestellung 12855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR316P H6327 | Infineon | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 18399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | auf Bestellung 91087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon | P-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59 Транзистори | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 Produktcode: 141413
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 38069 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR316PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR31TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR32 | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSR33 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33 | PHI | SOT89 | auf Bestellung 52759 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Power - Max: 1.35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR33,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 1.35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33,115 Produktcode: 114083
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSR33,115 | NXP | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 19104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3 | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR33,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33-QF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BSR33PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 PNP POWER TRANS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33PASX | Nexperia USA Inc. | Description: BSR33PAS/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 480 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 PNP POWER TRANS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSR33QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans | auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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