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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSR31NexperiaBipolar Transistors - BJT
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BSR31 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BSR31 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
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BSR31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 42257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1248+0.54 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1248 Stücke
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BSR31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
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BSR31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSR31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSR31,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3
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BSR31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
auf Bestellung 33257 Stücke:
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828+0.67 EUR
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BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSR31,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
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BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSR31,135NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3
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BSR31,135NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
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BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 19800 Stücke:
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BSR31-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSR31-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
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BSR31-QFNexperiaBSR31-Q/SOT89/MPT3
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BSR31-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
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BSR31-QXNexperiaBSR31-Q/SOT89/MPT3
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSR31-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSR315P H6327Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSR315PH6327Infineon technologies
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 1784 Stücke:
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2+1.65 EUR
10+0.76 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1643+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1643 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.05 EUR
50+0.77 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1
Produktcode: 165852
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BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1643+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1643 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSR316P H6327Infineon
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 38069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
308+0.75 EUR
396+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
541+0.33 EUR
561+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1InfineonP-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
50+0.74 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1
Produktcode: 141413
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
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6480+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6480 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 790 Stücke:
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266+0.67 EUR
373+0.48 EUR
374+0.46 EUR
733+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
237+0.98 EUR
349+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 81000 Stücke:
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3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 81000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8730 Stücke:
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249+0.71 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5700 Stücke:
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727+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 727 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.99 EUR
264+0.65 EUR
266+0.62 EUR
373+0.43 EUR
374+0.4 EUR
733+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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BSR316PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSR31TADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
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BSR32
auf Bestellung 7000 Stücke:
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BSR33NexperiaBipolar Transistors - BJT
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BSR33PHISOT89
auf Bestellung 52759 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSR33Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BSR33 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BSR33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 19104 Stücke:
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1248+0.54 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1248 Stücke
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BSR33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
145+1.61 EUR
179+1.2 EUR
233+0.92 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSR33,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1248+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1248 Stücke
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BSR33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
145+1.61 EUR
179+1.2 EUR
233+0.92 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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BSR33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1248+0.54 EUR
10000+0.46 EUR
100000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1248 Stücke
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BSR33,115
Produktcode: 114083
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BSR33,115NXPТранзистори
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BSR33,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BSR33,135NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BSR33,135NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSR33-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33-QFNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1189+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33-QXNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1189+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1189 Stücke
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BSR33-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSR33PAS-QXNexperia USA Inc.Description: BSR33PAS-Q/SOT1061/HUSON3
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BSR33PAS-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 PNP POWER TRANS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33PAS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.56 EUR
218+1.07 EUR
354+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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BSR33PAS-QXNexperia USA Inc.Description: BSR33PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33PAS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.56 EUR
218+1.07 EUR
354+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33PASXNexperia USA Inc.Description: BSR33PAS/SOT1061/HUSON3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33PASXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
214+1.08 EUR
348+0.62 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33PASXNexperia USA Inc.Description: BSR33PAS/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 480 mW
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSR33PASXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 PNP POWER TRANS
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSR33PASXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
214+1.08 EUR
348+0.62 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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BSR33QTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33QTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
2000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
7000+0.24 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSR33QTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR33QTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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