Produkte > IPZ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPZA60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPZA60R099CM8XKSA1 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPZA60R099CM8XKSA1 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R099P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 117W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 31 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 117 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 117 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | auf Bestellung 7360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R120P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 26 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPZA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R180P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 72 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 72 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA65R018CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPZA65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA65R025CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA65R029CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 69 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 305 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 305 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS CFD7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA65R029CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 69A; 305W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 69A Power dissipation: 305W Case: TO247-4 On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPZA65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPZA65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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