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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJE13009GOn SemiconductorNPN, Uкэ=400V, Iк=12A (24 имп.), h21=6...40, 4МГц, 100Вт, TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009GonsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
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MJE13009G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1141
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJE13009H3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13009H3(25-32)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13009LUTCMJE13009L MJE13009 NPN, Uкэ=400V, Iк=12A (25 имп.), h21=6...40, 4МГц, 110Вт, TO-220 Транзистори
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MJE13009L
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE1302
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13070
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13070Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13071Harris CorporationDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13071HARRISMJE13071
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13071
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE1307DOTOMOTransistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJE1320
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15003ON/MOT
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15004ON/MOT
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE15028MotorolaТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028onsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 126210
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.4 EUR
100+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GonsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.38 EUR
250+2.61 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
106+2.19 EUR
122+1.76 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029MulticompTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15029 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
157+1.48 EUR
211+1.02 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029onsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029 (bipolarer PNP-Transistor)
Produktcode: 126212
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+2.51 EUR
100+2.05 EUR
500+1.78 EUR
700+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GonsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
67+3.47 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.03 EUR
250+1.84 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030On SemiconductorNPN, Uкэ=150V, Iк=8A (16 имп.), h21=20...40, 30МГц, 50Вт, TO-220AB (комплемент. MJE15031) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030
Produktcode: 196969
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 30 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 150 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 150 В
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 30
Montage: THT
auf Bestellung: 54 St.
  • 54 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
112+2.08 EUR
114+1.88 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030CDILNPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030MulticompTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.08 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 36906
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IscsemiTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 30 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 150 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 150 В
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 30
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
100+2.32 EUR
109+1.98 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
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MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.46 EUR
61+1.42 EUR
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MJE15030G
Produktcode: 154352
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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48+3.63 EUR
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MJE15030G
Produktcode: 180441
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MJE15030GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
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1+4.27 EUR
10+2.51 EUR
100+1.76 EUR
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MJE15030GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 3374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
50+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MJE15030GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.5 EUR
250+1.76 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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MJE15030MJE15031
auf Bestellung 2000 Stücke:
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MJE15031onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
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MJE15031On SemiconductorPNP, Uкэ=150V, Iк=8A (16 имп.), h21=20...40, 30МГц, 50Вт, TO-220AB (комплемент. MJE15030) Транзистори
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MJE15031onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJE15031MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
94+2.49 EUR
119+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJE15031 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W
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MJE15031GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
91+2.57 EUR
115+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.81 EUR
250+2.46 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MJE15031G
Produktcode: 180445
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE15031GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
auf Bestellung 14525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.51 EUR
100+1.8 EUR
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MJE15031GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
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MJE15031G
Produktcode: 45656
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE15031GON-SemiconductorBipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJE15031GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 4334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
50+2.68 EUR
100+2.42 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MJE15031GOn SemiconductorPNP, Uкэ=150V, Iк=8A (16 имп.), h21=20...40, 30МГц, 50Вт, TO-220AB (комплемент. MJE15030) Транзистори
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MJE15032Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.Description: TRANS NPN 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
11+2.03 EUR
100+1.21 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MJE15032onsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE15032 MJE15033ONTO220 10+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032CEVVODescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.8 EUR
98+1.71 EUR
100+1.63 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.34 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.45 EUR
51+1.69 EUR
71+1.21 EUR
75+1.14 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
50+2.68 EUR
100+2.42 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
auf Bestellung 9623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
99+1.74 EUR
100+1.69 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.44 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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MJE15032GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
102+2.28 EUR
110+1.95 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.75 EUR
5000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28060
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 250 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 250 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 70
Montage: THT
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.05 EUR
10+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GMJE15033G
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032MJE15033
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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