Produkte > NSB

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MT-M3/IVishayRectifiers RECT 1KV 8A SM GLASS
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
500+1.82 EUR
800+1.78 EUR
2400+1.73 EUR
4800+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 3928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.13 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
10+2.75 EUR
100+2.14 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB8MTHM3/IVishayRectifiers RECT 1KV 8A SM GLASS
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+3.58 EUR
100+2.45 EUR
500+1.89 EUR
800+1.8 EUR
2400+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
auf Bestellung 8999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435T1ON
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 61339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435T1/9435RON
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+1.12 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.43 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Resistor - Base (R1): 1kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EDXV6T1
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA113EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 320000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 15990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 158500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDP6T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 269mW
Case: SOT963
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Current gain: 35...60
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 158500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3366+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
auf Bestellung 6429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4438+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
auf Bestellung 107188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3659+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3659 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 4000pcs.
Current gain: 35...60
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.61 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
8000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 107250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5G
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
auf Bestellung 7277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.71 EUR
100+0.45 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
8000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 221500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
auf Bestellung 221500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2400+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 408mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 44925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 296000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 408mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1
auf Bestellung 10252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7212+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 7212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1G
auf Bestellung 10252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.74 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 15999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7212+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 7212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
auf Bestellung 624000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2977 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 624000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
auf Bestellung 320000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 432000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1073+0.17 EUR
1391+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1073 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.23 EUR
1073+0.15 EUR
1391+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDXV6T1
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7212+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 7212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBA114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 136788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Nächste Seite >> ]