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NVD3055L170T4G-VF01

Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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NVD3055L170T4G-VF01

auf Bestellung 1865 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD3055L170T4G-VF01

Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD3055L170T4G-VF01

MOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 70MOHM

auf Bestellung 6757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.59 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.7 EUR
2500+	0.61 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD3105LT1G

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD360N65S3

Description: MOSFET N-CH 600V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD360N65S3T4G

Description: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.9 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD360N65S3T4G

Description: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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NVD360N65S3T4G

MOSFETs SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK

auf Bestellung 2967 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.81 EUR
10+	3.77 EUR
100+	2.62 EUR

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NVD360N65S3T4G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Gate charge: 16.8nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A

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NVD360N65S3T4G

auf Bestellung 2365 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVD4804NT4G

ON Semiconductor

MOSFET POWER MOSFET 30V 117A 4 M

auf Bestellung 649 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NVD4804NT4G

Description: ONSEMI - NVD4804NT4G - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4804NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

455+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 455 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4804NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4804NT4G-VF01

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 30V 117A 4MOHM

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NVD4805NT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 88A DPAK

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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NVD4806N

onsemi NFET DPAK 30V 76A 6MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

auf Bestellung 38679 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G

Description: ONSEMI - NVD4806NT4G - NVD4806NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 38679 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G-VF01

Description: NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

717+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 717 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G-VF01

Description: ONSEMI - NVD4806NT4G-VF01 - NVD4806NT4G-VF01, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4806NT4G-VF01

MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM

auf Bestellung 1565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.89 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.86 EUR
2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4808NT4G

MOSFET Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4808NT4G

Description: NVD4808 - POWER MOSFET 30V 63A 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V

auf Bestellung 24748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4808NT4G

Description: ONSEMI - NVD4808NT4G - NVD4808NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 24748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4809NHT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4809NHT4G

MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4809NT4G

MOSFET Power MOSFET 30V, 58A, 9 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4809NT4G

Description: ONSEMI - NVD4809NT4G - NVD4809NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 11480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4809NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4809NT4G

Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4810NT4G

Description: ONSEMI - NVD4810NT4G - NVD4810NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4810NT4G

Description: NVD4810 - SINGLE N-CHANNEL POWER

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

942+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 942 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4810NT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4810NT4G-TB01

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4810NT4G-VF01

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4813NHT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4813NHT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4815NT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4856NT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD4856NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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NVD4856NT4G-VF01

Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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NVD4856NT4G-VF01

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R

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NVD4C05NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

276+	0.63 EUR
287+	0.58 EUR
288+	0.56 EUR
309+	0.5 EUR
313+	0.48 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 276 Stücke

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NVD4C05NT4G

MOSFETs NFET DPAK 30V 4.1MO

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.36 EUR
10+	2.84 EUR

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NVD4C05NT4G

Description: ONSEMI - NVD4C05NT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 16573 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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NVD4C05NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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NVD5117PLT4G

Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

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NVD5117PLT4G

Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 116 Stücke

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NVD5117PLT4G

Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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NVD5117PLT4G

ON Semiconductor

MOSFET 60V T1 PCH DPAK

auf Bestellung 13888 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NVD5117PLT4G-VF01

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 849 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.12 EUR
49+	3.44 EUR
51+	3.21 EUR
100+	2.48 EUR
250+	2.28 EUR
500+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

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NVD5117PLT4G-VF01

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVD5117PLT4G-VF01

Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	8.75 EUR
44+	5.33 EUR
100+	3.45 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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NVD5117PLT4G-VF01

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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NVD5117PLT4G-VF01

Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.56 EUR
10+	4.3 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM

auf Bestellung 14818 Stücke:

Lieferzeit 437-441 Tag (e)

1+	5.93 EUR
10+	5.32 EUR
100+	4.27 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	2.92 EUR
2500+	2.7 EUR

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NVD5117PLT4G-VF01

Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.43 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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NVD5117PLT4G-VF01

Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVD5407NT4G

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 729 Stücke

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NVD5407NT4G

ON Semiconductor

MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 38A, 26mO, Power MOSFET 40V, 38A, 26 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NVD5407NT4G

ON Semiconductor

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVD5413NT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5414NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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NVD5414NT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM

auf Bestellung 1308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NVD5414NT4G-VF01

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5414NT4G-VF01

Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5484NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5484NLT4G

Description: ONSEMI - NVD5484NLT4G - NVD5484NLT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1340 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5484NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

533+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 533 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5484NLT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 60V 54A 17MOHM

auf Bestellung 9326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5484NLT4G-VF01

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5484NLT4G-VF01

MOSFETs NFET DPAK 60V 54A 17MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5484NLT4G-VF01

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK

auf Bestellung 24609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 546 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5490NLT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5490NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5490NLT4G-VF01

Description: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5490NLT4G-VF01

ON Semiconductor

MOSFET Power MOSFET 60V 17A 64 mOhm Single N−Channel DPAK Logic Level

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5802NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5802NT4G

MOSFET DPAK 3W SMT PBF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5802NT4G-TB01

Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5802NT4G-TB01

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVD5802NT4G-VF01

Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V

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NVD5802NT4G-VF01

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH

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NVD5803NT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM

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NVD5803NT4G

auf Bestellung 5000 Stücke:

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NVD5803NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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NVD5803NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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NVD5805NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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NVD5805NT4G

ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM

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NVD5805NT4G-VF01

MOSFETs NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM

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NVD5805NT4G-VF01

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

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NVD5806NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK

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NVD5806NT4G

ON Semiconductor

MOSFET POWER MOSFET 40V

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NVD5807NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

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NVD5807NT4G

ON Semiconductor

MOSFET POWER MOSFET

auf Bestellung 5000 Stücke:

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