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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 10059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+5.46 EUR
100+4.27 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.25 EUR
3000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
31+0.68 EUR
35+0.61 EUR
100+0.52 EUR
250+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3985EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
auf Bestellung 10474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+0.87 EUR
100+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3985EV-T1_GE3Vishay
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3985EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 110384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3985EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3
Produktcode: 174743
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 40364 Stücke:
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3+1.48 EUR
10+1.05 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3VishayDUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
174+1.33 EUR
251+0.86 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
19+1.11 EUR
100+0.69 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
157+1.48 EUR
195+1.11 EUR
500+0.94 EUR
1500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3987EV-T1_GE3VishayTRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3989EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.67W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3989EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3989EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6
auf Bestellung 173495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02457D6JFA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600B-2JBA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600B2
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600B2INE
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600B2JBA
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600C2
auf Bestellung 15121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600C2HBA
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600C2JBA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600C2JBAPb
auf Bestellung 15121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600C2JBAPb10PF10PPM
auf Bestellung 15121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600C2JBAPb26MHZ10PF10PPM
auf Bestellung 15121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600L2LNAQFN??
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3D02600LZLNAEPCOSQFN??
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3O00800DICNC-PMCSAMSUNGN/A
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3U02457D6
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3U02457D6JFASAMSUNG08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3U02457D6JFA12PF30PPM
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3U02457D6JFA24.576MHZ12PF30PPM
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3U02600C3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3U02600C3HCA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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