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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
auf Bestellung 28365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
53+0.4 EUR
105+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1119+0.15 EUR
1268+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 190mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
auf Bestellung 7024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
295+0.29 EUR
329+0.26 EUR
486+0.18 EUR
596+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 190mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
auf Bestellung 7024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
auf Bestellung 19354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.58 EUR
10+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013DWFVishay / SiliconixMOSFETs SI1013X IN WAFER FORM (UNPROBED)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013RVISHAY
auf Bestellung 9770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1VISHAY
auf Bestellung 7210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-E3VISHAY06+ SOT-523
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixSC-75 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
auf Bestellung 44440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.73 EUR
100+0.58 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.82 EUR
249+0.68 EUR
252+0.65 EUR
338+0.46 EUR
461+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 79680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
15000+0.26 EUR
30000+0.25 EUR
75000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.7 EUR
338+0.51 EUR
461+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R/X05+
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013XVISHAY
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1VISHAYSOT416-B
auf Bestellung 204000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1 SOT416-BVISHAY
auf Bestellung 273200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-E3 SOT416-BL PB-FREEVISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 13296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.67 EUR
355+0.49 EUR
359+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
auf Bestellung 7982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.6 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.79 EUR
260+0.65 EUR
263+0.62 EUR
355+0.44 EUR
359+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-A-GMSilicon LabsQFN 42/I°/Ultra-Low Power 16 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz SI1014
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -121dBm
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 15
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Receiving: 18.5mA
Protocol: EZRadioPro
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-A-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1014
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-C-GM2Silicon LabsDescription: 16KB 768B RAM XCVR DC-DC 42LGA
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB FLASH EZ PRO 42LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1014-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-A-GMSilicon LabsSI1015-A-GM SI1015
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-C-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-C-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1015
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1015-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016LATTICEQFP
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
569+0.31 EUR
573+0.3 EUR
654+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 569 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 13415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
12000+0.24 EUR
15000+0.21 EUR
24000+0.2 EUR
30000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396/756mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2/2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.71 EUR
163+0.52 EUR
235+0.36 EUR
278+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
36000+0.24 EUR
72000+0.21 EUR
108000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016XVISHAY
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1VISHAY
auf Bestellung 57200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 5808 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-E3-AAA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-ES
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+0.4 EUR
436+0.39 EUR
516+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
auf Bestellung 12628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixN/P-CH 20V 485MA SC-89-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-915-A-DKSilicon LabsDescription: KIT DEV WIRELESS SI1020 915MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-915-A-DKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-915-A-SDKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-915-A-SDKSilicon LabsDescription: KIT SOFTWARE DEV SI1020 915MHZ
Packaging: Box
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver
Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Utilized IC / Part: Si1020
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-A-GMSilicon LabsSI1020-A-GM SI1020
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1020
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-B-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-B-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020-B-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1020G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1021-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1021-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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