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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
64+2.62 EUR
65+2.5 EUR
100+1.93 EUR
250+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.13 EUR
6000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7975 Stücke:
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7+3.39 EUR
10+2.82 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 978 Stücke:
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139+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.96 EUR
25+1.84 EUR
100+1.38 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
11+2 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5RVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60WRVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 1957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.99 EUR
25+1.87 EUR
100+1.4 EUR
250+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK5P65W,RQ
Produktcode: 184247
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65WRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+4.44 EUR
25+4.41 EUR
75+2.03 EUR
525+1.77 EUR
1050+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
75+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
10+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R0A15Q5,S4XToshibaMOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+6.83 EUR
100+5.99 EUR
500+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+3.12 EUR
50+1.89 EUR
100+1.58 EUR
250+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
58+4.03 EUR
100+2.31 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1E06PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1E06PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1E06PLS1X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
10+2.73 EUR
100+2.13 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshibaMOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
auf Bestellung 25314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.48 EUR
100+1.63 EUR
500+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
72+3.25 EUR
102+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 470 Stücke:
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100+3.25 EUR
102+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+3.01 EUR
100+2.31 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.55 EUR
5000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
74+3.15 EUR
119+1.81 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
50+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+3 EUR
50+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
60+3.93 EUR
100+2.25 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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