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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP40NF03LSTMMOSFET 30V 40A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
81+2.88 EUR
131+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.71 EUR
115+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 50 Amp
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.89 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.14 EUR
4000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10
Produktcode: 101793
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.42 EUR
103+1.65 EUR
115+1.43 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STN-MOSFET 40A 100V 150W 0.024Ω STP40NF10 TSTP40NF10
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10-07
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10C
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
507+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10L
Produktcode: 101831
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150W; -65°C ~ 175°C; STP40NF10L TSTP40NF10L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.04 EUR
171+1.01 EUR
172+0.99 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMN-channel 100V - 0.028. - 40A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
82+2.86 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.88 EUR
74+2.36 EUR
100+2.07 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±17V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
50+3.09 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±17V
On-state resistance: 36mΩ
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.3 EUR
34+2.53 EUR
39+2.19 EUR
54+1.58 EUR
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
171+1 EUR
172+0.95 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF10LS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF12STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF12STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 120 Volt 40 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF12STN-MOSFET; 120V; 20V; 32mOhm; 40A; 150W; -55°C ~ 175°C; STP40NF12 TSTP40NF12
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20STMMOSFET N-CH 200V 40A TO220AB Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+25.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.4 EUR
32+7.45 EUR
100+5.51 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 697 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.43 EUR
23+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
697+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 697 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
50+3.9 EUR
100+3.53 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+3.83 EUR
100+3.37 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NP10L
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NS15
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NS15STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NS15STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP410N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP410N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 180 A STripFET F7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP411B-320-ESeiko Printers MECH 112MM 320 DOT W/O CABLE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP411G-320-ESeiko PrintersPrinters 153X44.5X20 320 DOTS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP411G-320-E
Produktcode: 174458
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Werkzeuge und Geräte > Haushaltselektronik
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP420F
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4220BGA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4228100SolaHDIndustrial Surge Protectors 1260W 28V AT 45A MAX 1P PS IECEX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP423S
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4257
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.84 EUR
50+6.89 EUR
100+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP42N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.72 EUR
20+11.97 EUR
28+7.76 EUR
50+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.67 EUR
10+7.35 EUR
500+6.68 EUR
1000+5.9 EUR
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STP42N65DM5STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+8 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STP42N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.9 EUR
10+10.56 EUR
100+10.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.96 EUR
50+10.58 EUR
100+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMMOSFET N-CH 650V 33A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP42N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.86 EUR
8+12.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4310
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4349
auf Bestellung 7550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.97 EUR
44+5.36 EUR
100+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+6.09 EUR
100+5.57 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.69 EUR
2000+4.49 EUR
5000+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP43N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
50+6.2 EUR
100+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
122+1.92 EUR
136+1.58 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 45A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.26 EUR
100+2.02 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N10FI
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.58 EUR
50+7.88 EUR
100+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.84 EUR
2000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
auf Bestellung 4706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.74 EUR
10+7.98 EUR
100+7.33 EUR
500+6.87 EUR
1000+6.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.91 EUR
16+11.36 EUR
50+8.03 EUR
100+7.26 EUR
200+6.99 EUR
500+6.74 EUR
1000+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP45N40DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.69 EUR
16+15.17 EUR
17+13.09 EUR
50+9.96 EUR
100+9.13 EUR
250+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.77 EUR
15+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+7.28 EUR
100+6.85 EUR
500+6.62 EUR
1000+5.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.56 EUR
14+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STP45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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