Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| IRF5801 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TR Produktcode: 29391
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF5801TR | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 2,2Ohm; 600mA; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5801 TIRF5801 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 58 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF Produktcode: 29370
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TSOP-6 Uds,V: 200 Idd,A: 01.06.2000 Rds(on), Ohm: 02.02.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 09.03.1988 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC | auf Bestellung 11176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 18825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF5801TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TR | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TR | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 54 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 64 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 0.9A Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC | auf Bestellung 7940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 724 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V | auf Bestellung 6159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803 | IR | 08+ DIP4 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803 Produktcode: 28228
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF5803 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2 | IR | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF5803D2HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1330 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2TR | IR | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF5803D2TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | IOR | 09+ | auf Bestellung 80043 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803PBF | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF5803TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5803TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 2050 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5803TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803TRPBF (TSOP6) Produktcode: 54658
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| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TSOP-6 Uds,V: 40 Id,A: 3.4 Rds(on),Om: 0.11 Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25 /: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804 | IR | 09+ TO-220 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804TR | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF5804TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5804TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.8 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805TRPBF | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |