Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF540ZPBF Produktcode: 42002
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 36 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42 Montage: THT | auf Bestellung: 152 St.
|
| ||||||||||||||
| IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF540ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm | auf Bestellung 19635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF540ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 25233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF540ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 25233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF540ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg | auf Bestellung 30254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF540ZS Produktcode: 99475
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 36 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 26,5 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| IRF540ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF540ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF540ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF540ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF540ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF540ZSTRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF540ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF540ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF540_R4941 | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF541 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 4100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF541 | HARRIS | IRF541 | auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF541 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF541 | HARRIS | IRF541 | auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF541PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF542 | HARRIS | IRF542 | auf Bestellung 7463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF542 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | auf Bestellung 7504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF543 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF543 | HARRIS | IRF543 | auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5505PBF Produktcode: 36207
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-262 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/32 | Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 26 St.
|
| ||||||||||||||
| IRF550A | FAIRCHILD | TO-220AB | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5612 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800TR Produktcode: 37265
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 535/11,4 Montage: SMD | verfügbar: 12 St.
erwartet: 600 St.
|
| ||||||||||||||
| IRF5800TR | IR | 03+ | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800TR SOT163-B3Z5K | IR | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF5800TR/B3T75 | IR | 09+ | auf Bestellung 28818 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800TRPBF | International Rectifier | TSOP-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5800TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -30V -4A 85mOhm 11.4nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TR | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 2,2Ohm; 600mA; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5801 TIRF5801 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TR Produktcode: 29391
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 18825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm | auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 55 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF Produktcode: 29370
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 0,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 88/3,9 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm | auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC | auf Bestellung 9937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TR | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TR | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 64 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 724 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC | auf Bestellung 4552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 0.9A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V | auf Bestellung 9134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRF5803 Produktcode: 28228
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF5803 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803 | IR | 08+ DIP4 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF5803D2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |