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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5822 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5822 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5822 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.33 EUR
10+5.45 EUR
100+4.27 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.31 EUR
2000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0Vebo 750mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 TIN/LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.75A 625mW 3-Pin TO-92-18R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5823 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5829MOTCAN
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N582AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N583MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 40597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830FAIRCHILD2N5830
auf Bestellung 15590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5830 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8013+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830FAIRCHILD2N5830
auf Bestellung 7870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830_D26Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5830_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5832MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5833 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 18847
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 180 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 200 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,3 A
Stromverstärkung h21: 250
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5834MOTCAN
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5835MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5836MOTCAN3
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5837MOTCAN3
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5838Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5838Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5839Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5839Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N583AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N584MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5840Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5840Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5841MOTCAN
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5842MOTCAN
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5843MOTCAN
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5844MOTCAN
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N584AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N585MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5851MOTCAN
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5852MOTCAN
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5853Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-61
Power - Max: 115 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-61
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5853Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5854Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-61
Power - Max: 115 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-61
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5854Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5855MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5856MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5857MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5858MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5859MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5859 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5859 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5859AMOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N585AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N586MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5860MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5860AMOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5861MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5861Microchip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5861Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5861AMOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5864MOTCAN
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5865MOTCAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5867Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5867Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5867Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 5A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 87.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5868Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5868MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5868Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5869MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N586AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N587MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5871HARRIS2N5871
auf Bestellung 478 Stücke:
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2N5871Harris CorporationDescription: TRANS PNP 60V 7A TO-3
Power - Max: 115 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2.5 @ 4A, 20V
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
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2N5871Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5872Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5872Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
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2N5873Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
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2N5873Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5874Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5874Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
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2N5875Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5875Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
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2N5875Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N5875Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N5876Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5876Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
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2N5877
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2N5877Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N5877Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5877Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
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2N5877 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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