Produkte > IRF

Trans MOSFET P-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA

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IRF5M4905SCX

MOSFET

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IRF5M5210

MOSFET

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IRF5M5210

Trans MOSFET P-CH Si 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA

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IRF5M5210SCV

Trans MOSFET P-CH Si 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA

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IRF5M5210SCV

MOSFET

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IRF5M5210SCX

MOSFET

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IRF5M5210SCX

Trans MOSFET P-CH Si 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA

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IRF5N3205

Trans MOSFET N-CH Si 55V 55A 3-Pin SMD-1

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IRF5N3205SCV

Trans MOSFET N-CH Si 55V 55A 3-Pin SMD-1

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IRF5N3205SCV

Trans MOSFET N-CH Si 55V 55A 3-Pin SMD-1

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IRF5N3415

Trans MOSFET N-CH Si 150V 37.5A 3-Pin SMD-1

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IRF5N3415

MOSFET

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IRF5N3415SCV

MOSFET

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IRF5N3415SCV

Trans MOSFET N-CH Si 150V 37.5A 3-Pin SMD-1

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IRF5N3710

Trans MOSFET N-CH Si 100V 45A 3-Pin SMD-1

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IRF5N3710

MOSFETs

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IRF5N3710SCV

Trans MOSFET N-CH Si 100V 45A 3-Pin SMD-1

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IRF5N3710SCV

Infineon

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IRF5N4905

MOSFET

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IRF5N4905

Trans MOSFET P-CH Si 55V 55A 3-Pin SMD-1

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IRF5N4905SCV

Trans MOSFET P-CH Si 55V 55A 3-Pin SMD-1

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IRF5N4905SCV

MOSFET

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IRF5N5210SCV

MOSFET

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IRF5N5210SCV

Trans MOSFET P-CH Si 100V 31A 3-Pin SMD-1

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IRF5NJ3315

Trans MOSFET N-CH Si 150V 20A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ3315SCV

Trans MOSFET N-CH Si 150V 20A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ3315SCX

Trans MOSFET N-CH Si 150V 20A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ5305SCS

Trans MOSFET P-CH Si 55V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ540

Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ540SCV

Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ6215SCX

Trans MOSFET P-CH Si 150V 11A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ9540

Trans MOSFET P-CH Si 100V 18A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ9540

MOSFETs

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IRF5NJ9540SCS

Trans MOSFET P-CH Si 100V 18A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ9540SCS

MOSFET

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IRF5NJ9540SCV

MOSFET

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IRF5NJ9540SCV

Trans MOSFET P-CH Si 100V 18A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ9540SCX

Trans MOSFET P-CH Si 100V 18A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJ9540SCX

MOSFET

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IRF5NJ9540SCX

Trans MOSFET P-CH Si 100V 18A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJZ34

Trans MOSFET N-CH Si 55V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJZ34SCX

Trans MOSFET N-CH Si 55V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJZ48

MOSFET

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IRF5NJZ48

Trans MOSFET N-CH Si 55V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJZ48SCV

Trans MOSFET N-CH Si 55V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5NJZ48SCX

Trans MOSFET N-CH Si 55V 22A 3-Pin SMD-0.5

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IRF5Y3315CM

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF5Y3315CMSCX

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF5Y3710CM

Trans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF5Y5305CM

Trans MOSFET P-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF5Y5305CM

MOSFET

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IRF5Y5305CMSCX

MOSFETs

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IRF5Y5305CMSCX

Trans MOSFET P-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF5Y540CM

Trans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF5Y540CMSCX

Trans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF5Y9540CM

MOSFET

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IRF5Y9540CMSCV

Trans MOSFET P-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257

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Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IRF5Y9540CMSCV

MOSFET

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IRF5Y9540CMSCX

Trans MOSFET P-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IRF5Y9540CMSCX

MOSFET

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IRF5YZ48CM

Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA

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IRF6053

auf Bestellung 632 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRF60B217

Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

269+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 269 Stücke

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IRF60B217

Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

auf Bestellung 4222 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

205+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 205 Stücke

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IRF60B217

International Rectifier

Description: TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

269+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 269 Stücke

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IRF60B217

Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

auf Bestellung 2830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

337+	1.94 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 337 Stücke

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IRF60B217

Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

auf Bestellung 4222 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

205+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 205 Stücke

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IRF60B217

Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRF60B217

Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V

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IRF60B217

Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

auf Bestellung 2645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

337+	1.94 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 337 Stücke

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IRF60B217

MOSFETs 60V, 60A, 9.0 mOhm 44 nC Qg

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.61 EUR
10+	2.95 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.32 EUR
2000+	1.3 EUR
5000+	1.26 EUR

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IRF60DM206

International Rectifier

Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V

auf Bestellung 50508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

150+	3.61 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

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IRF60DM206

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 11628 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR
10000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206

Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm

auf Bestellung 8173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.79 EUR
39+	6.06 EUR
100+	4.47 EUR
500+	3.38 EUR
1000+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IRF60DM206

Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V

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IRF60DM206

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 12028 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR
10000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206

MOSFETs 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og

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IRF60DM206

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 10908 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR
10000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206

Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm

auf Bestellung 8173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.38 EUR
1000+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IRF60DM206

Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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IRF60DM206

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 15944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR
10000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 9971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206ATMA1

MOSFETs 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og

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Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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IRF60DM206ATMA1

Description: FET N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V

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IRF60DM206ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

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IRF60DM206ATMA1

Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm

auf Bestellung 1547 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	8 EUR
33+	7.13 EUR
100+	4.82 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.15 EUR

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IRF60DM206ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 11770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR
10000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 24153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206ATMA1

Description: FET N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V

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IRF60DM206ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

auf Bestellung 1201 Stücke:

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188+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

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IRF60DM206ATMA1

Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm

auf Bestellung 1547 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.82 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.15 EUR

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IRF60R217

Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRF60R217

Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRF60R217

Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

463+	1.42 EUR
514+	1.25 EUR
1000+	1.13 EUR
10000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 463 Stücke

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IRF60R217

Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V

auf Bestellung 204 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.37 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IRF60R217

Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 58
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRF60R217

MOSFETs 60V, 58A, 9.9 mOhm 40 nC Qg

auf Bestellung 3413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.01 EUR
10+	2.05 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.11 EUR
2000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IRF60R217

Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRF60R217