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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+1.52 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 423 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+1.52 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 423 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 22792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
13+1.75 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
КитайTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Montage: SMD
erwartet: 15 St.
  • 15 St. - erwartet
auf Bestellung: 2021 St.
  • 2021 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.76 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 9725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
155+1.5 EUR
174+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 7944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.76 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 838 St.
  • 838 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.96 EUR
10+0.86 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 94 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 9725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
155+1.5 EUR
174+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z
Produktcode: 4031
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 120 St.
  • 120 St. - erwartet
auf Bestellung: 330 St.
  • 330 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.82 EUR
10+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z China
Produktcode: 211511
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КитайTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Montage: SMD
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 79 St.
  • 79 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRInfineonIRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRInternational RectifierIRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR2905ZTRLPBF - IRLR2905 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 720 Stücke
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IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
709+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
10000+0.73 EUR
100000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 709 Stücke
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IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
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IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 328100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
709+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
10000+0.73 EUR
100000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 709 Stücke
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IRLR2905ZTRLPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
225+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRLR2905ZTRPBF
Produktcode: 216860
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLR2905ZTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 4476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
114+2.03 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 4476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
114+2.03 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 19097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.62 EUR
100+1.37 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2908
Produktcode: 181913
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLR2908PBFD-PAK Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908PBF
Produktcode: 20922
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR2908PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR2908PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 30 А, Ptot, Вт = 120, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1890 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 4,5 В, Rds = 28 мОм @ 23 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908PBF(Transistor)
Produktcode: 67581
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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IRLR2908TRVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TRL-VG; IRLR2908TR; IRLR2908TR-VB; IRLR2908TR TIRLR2908TR VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRInternational RectifierN-MOSFET 80V 30A IRLR2908 TIRLR2908
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 50A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2908; IRLR2908TR; SP001567410; SP001553170 IRLR2908TR-ML MOSLEADER TIRLR2908 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TR-TPTECH PUBLICTransistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TR-TP; IRLR2908TR-VB; IRLR2908 TIRLR2908 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 39A 28mOhm 22nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 30A DPAK Діоди та діодні збірки
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR2908TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 39 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBF
Produktcode: 139351
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
119+1.4 EUR
120+1.33 EUR
152+1.01 EUR
250+0.96 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 39 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRLPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
101+2.3 EUR
113+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBF
Produktcode: 211866
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 80 В
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IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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IRLR2908TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2908TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
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IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
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IRLR2908TRPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 30A DPAK Діоди та діодні збірки
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IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.94 EUR
86+1.95 EUR
109+1.46 EUR
124+1.24 EUR
500+0.92 EUR
2000+0.77 EUR
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IRLR3103IRTO-252
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IRLR3103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IRLR3103HRInfineon / IRInfineon
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IRLR3103PBF
Produktcode: 85570
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 55 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,019 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/50
Montage: SMD
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2+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
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IRLR3103PBFInternational RectifierТранзистори
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IRLR3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRIRTO-252
auf Bestellung 1046700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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