Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IRLR2705TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2705TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2705TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | International Rectifier | Description: IRLR2705 - 12V-300V N-CHANNEL PO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 28 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 40 мОм @ 17 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF Produktcode: 122892
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-252/D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 28 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 69 St.
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| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | auf Bestellung 14212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 28A TO-252 (D-Pack) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC | auf Bestellung 61513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DPAK | auf Bestellung 3652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2705TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2705TRR(94-2315) | auf Bestellung 11500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRLR2705TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905 Produktcode: 30677
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLR2905 | IR | TO-252 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 36A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 525 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905PBF Produktcode: 102405
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-252/D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLR2905PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TR | Infineon | N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 36A 27mOhm 32nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 1027 St.
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | auf Bestellung 6265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Gate charge: 48nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V Kind of package: reel Case: DPAK | auf Bestellung 1394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC | auf Bestellung 10616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | auf Bestellung 6265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683
1
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Lieblingsprodukt
| Китай | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 35 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm Montage: SMD | auf Bestellung: 2036 St.
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| IRLR2905TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | verfügbar 94 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905Z Produktcode: 4031
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 496 St.
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| IRLR2905Z | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905Z | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905Z China Produktcode: 211511
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| Китай | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23 Montage: SMD | auf Bestellung: 490 St.
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| IRLR2905ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905ZTR | Infineon | IRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTR | Infineon | N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTR | International Rectifier | IRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905ZTR | Infineon | N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 328900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRLPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR2905ZTRLPBF - IRLR2905 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRLPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 174000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | auf Bestellung 4551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF Produktcode: 216860
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | auf Bestellung 5124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC | auf Bestellung 9308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Gate charge: 35nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 43A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V Kind of package: reel Case: DPAK | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | auf Bestellung 4551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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