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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4564DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 6603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-TI-E3
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-VBVBsemiTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565DYVISHAY09+
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565DY-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565DY-T1-E3
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565DY-TI-E3VISHAY09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4565DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4567DY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4567DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4567DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4567DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4567DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4567DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4567DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4569
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4569DY
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4569DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4569DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4569DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4569DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4569DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4574DY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4574DY-T1-E3
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4574DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI459
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 5.6A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 5.6A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3
Produktcode: 175518
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DYMOSFET N/P-CH 100V 4.5A/2.5A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4593DY-T1.09+ SMD
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4596
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DYVishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-E3
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3
Produktcode: 85373
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 2262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
78+1.09 EUR
110+0.77 EUR
125+0.68 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
auf Bestellung 5141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI45C-08200Утримувач для NanoSim карт (потрібна вкладка-підкладка, в комплекті немає) HOLDER
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI460AF-023
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI460AF-A26
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4610ADT-T1-E3
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4613-A10-AMRSilicon LabsDescription: RF RECEIVER AM/FM 48QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4613-A10-AMRSilicon LabsSI4613-A10-AMR SI4613
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4613-A10-GMSkyworks Solutions Inc.Description: RF RECEIVER AM/FM 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Applications: General Purpose
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.29 EUR
10+47.33 EUR
25+43.39 EUR
80+40.1 EUR
230+38.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4613-A10-GMRSilicon LabsSI4613-A10-GMR SI4613
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4614-A10-AMSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Interface: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4614-A10-AMSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE DAB/DAB+ BASEBAND PROCESSOR, 7x7x0.85 48-pin QFN, RoHS compliant
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4614-A10-AMRSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE DAB/DAB+ BASEBAND PROCESSOR, 7x7x0.85 48-pin QFN, RoHS compliant
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4614-A10-AMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Data Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Applications: General Purpose
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4614-A10-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Interface: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4614-A10-GMSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Automotive DAB Coprocessor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4614-A10-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Data Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Applications: General Purpose
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4614-A10-GMRSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE DAB/DAB+ BASEBAND PROCESSOR, 7x7x0.85 48-pin QFN, RoHS compliant
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4617-A10-AMSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4617-A10-AMRSkyworks SolutionsDIGITAL SIGNAL PROCESSOR IC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4617-A10-AMRSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4617-A10-GMSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4617-A10-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4618DY-T1-E3
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4618DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4618DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4618DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4618DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4618DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4618DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY-T1Vishay09+
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 7.4A 3.1W 35mohm @ 10V
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 7.4A 3.1W 35mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4620DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4621DY-T1
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4621DY-T1-E3VISHAY09+ SOP16
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4621DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4621DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4622-A10-AMSkyworks SolutionsHIGH-PERFORMANCE SINGLE-CHIP F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4622-A10-AMRSkyworks SolutionsHIGH-PERFORMANCE SINGLE-CHIP F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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