Produkte > JAN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| JANTXV2N3507AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3507AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 3A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3507L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 3A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3507L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3583 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3583 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 175V 1A TO66 Power - Max: 35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3584 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 2A 2.5W Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3584 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 2A TO66 Qualification: MIL-PRF-19500/384 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk Power - Max: 2.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3584 | MOT | 98+ TO-66 | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3585 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 2A TO66 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3585 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3585P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3634 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 102 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3634 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3634L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3634L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3634UB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3634UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3634UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3635 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 140V 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3635L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3635L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3635UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3635UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3635UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3636 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3636 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3636L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3636L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3636UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3636UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3636UB/TR | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 175V 10UA UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 µA Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3636UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3637 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3637 | MICROSEMI | TO-39/PNP Transistor 2N3637 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3637 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3637/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3637L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3637L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3637L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3637P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W PinD Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3637P | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3637UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV2N3637UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV2N3637UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3637UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV2N3700 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 262 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700 | MICROSEMI | TO18/Low Power NPN Silicon Transistor 2N3700 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3700/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 255 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 113 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700P | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 113 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700UB | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin UB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700UB | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV2N3700UB | MICROSEMI | UB/NPN TRANSISTOR 2N3700 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700UB/TR | Microchip Technology | Transistor GP BJT NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3700UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3715 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3715 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3715 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W Qualification: MIL-PRF-19500/408 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3716 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/408 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3716 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3716P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3716P | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3724 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3724L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3724UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725A | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725L | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725UB | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725UB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3725UB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3735 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 104 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3735 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/395 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3735L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO5 Qualification: MIL-PRF-19500/395 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3735L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3737 | MICROSEMI | TO46/1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3737 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3737 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO46-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3737UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/395 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3737UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 500mW 3-Pin CER Small-Signal BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3737UB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3739 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 1A TO-66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V Supplier Device Package: TO-66 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W Qualification: MIL-PRF-19500/402 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3740 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 60V 4A TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3740 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3740 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3740P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3741 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3741 | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3741 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 4A TO66 Qualification: MIL-PRF-19500/441 Grade: Military Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3741U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10UA U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Supplier Device Package: U4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| Jantxv2N3749 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 5A TO111 Qualification: MIL-PRF-19500/315 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-111 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N3763 | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3763 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |