Produkte > JAN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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| JANTXV2N3440U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 2UA U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3440UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3440UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3440UA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3441 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3441 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 140V 3A TO66 Qualification: MIL-PRF-19500/369 Grade: Military Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3442 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 10A 6W NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3442 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 140V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/370 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3467 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 40V 1A TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3467L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3468L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3485A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO46 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-46 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW Qualification: MIL-PRF-19500/392 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 148 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3485A | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3486A | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO46 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 140 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3486A | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3498 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3498 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3498/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3498L | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3498L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3498L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3499 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3499 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| JANTXV2N3499 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 129 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3499/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 127 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3499L | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3499L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3499L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3500 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3500/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3500L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3500L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3500L/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3500U4/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/366 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501 | MICROSEMI | TO39/NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3501 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANTXV2N3501 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5 Qualification: MIL-PRF-19500/366 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501L | NES | 84/85/ | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Qualification: MIL-PRF-19500/366 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501UB/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3501UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3506 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3506 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3506A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3506A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3506AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 3A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3506AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Long-Lead Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3506L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3506L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 3A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3507 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| JANTXV2N3507A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 3A TO39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3507A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3507AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 3A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3507AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3507L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 3A TO5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3507L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3583 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 175V 1A TO66 Power - Max: 35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3583 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3584 | MOT | 98+ TO-66 | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3584 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 2A 2.5W Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3584 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 2A TO66 Qualification: MIL-PRF-19500/384 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk Power - Max: 2.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3585 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 2A TO66 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3585 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3585P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3634 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 102 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3634 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3634L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3634L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3634UB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3634UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3634UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3635 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 140V 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3635L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3635L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3635UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3635UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3635UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3636 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3636 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3636L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3636L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3636UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3636UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3636UB/TR | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 175V 10UA UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 µA Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3636UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3637 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 101 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3637 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANTXV2N3637 | MICROSEMI | TO-39/PNP Transistor 2N3637 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3637/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3637L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3637L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| Jantxv2N3637L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |