Produkte > Jan
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| JANTXV2N6756 | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTXV2N6758 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 200V 9A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 51 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6758 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6760 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/542 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6760 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6762 | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6762 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 49 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6764 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 100V 38A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6764 | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6764T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6766 | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6766 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6766T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6768 | 02+ TO-3 | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTXV2N6768 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6768T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-254AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6770 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE Qualification: MIL-PRF-19500/543 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6770 | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6770 | auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6770 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6770T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/543 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6770T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6782 | HARRIS | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTXV2N6782 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO205AF Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6782U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6784 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 81 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6784U | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6786 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6788 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO205AF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6788U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6790 | MOT | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTXV2N6790 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO205AF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6790U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6796 | MICROSEMI | TO-39/N-CHANNEL MOSFET 2N6796 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6796 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6796P | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6796U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6798 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6798P | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6798U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 37 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6800 | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6800 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6800 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6800U | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6800U | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6800U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6800UPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6802 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 69 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6802U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 37 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6804 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6804 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6804 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6804 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA Qualification: MIL-PRF-19500/562 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6804 | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6806 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTXV2N6845 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6845 | Harris | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTXV2N6845U | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6847 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6847U | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6849 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF Qualification: MIL-PRF-19500/564 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6849 | MICROSEMI | TO-39/6.5 A, 100 V, 0.345 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET JANTXV2N6849 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6849U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC Qualification: MIL-PRF-19500/564 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 18-CLCC Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6898 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6901 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6987 | Microchip Technology | Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 Qualification: MIL-PRF-19500/558 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 1.5W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 PNP (Quad) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6987 | Microchip / Microsemi | MOSFET BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6987/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6987U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Quad - Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6987U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Qualification: MIL-PRF-19500/558 Grade: Military Supplier Device Package: 6-SMD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 1W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 PNP (Quad) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6987U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Quad - Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6987U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6988 | Microchip / Microsemi | MOSFET BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6988 | Microchip Technology | Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A Packaging: Bulk Package / Case: 14-Flatpack Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 14-Flatpack Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6988/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6989 | Microchip Technology | Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 Packaging: Bulk Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 NPN (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-116 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6989 | Microchip / Microsemi | MOSFETs 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6989/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6989U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N6989U | Microchip / Microsemi | MOSFETs 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT SQ SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6989U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6989U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6990 | Microchip Technology | Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN Qualification: MIL-PRF-19500/559 Grade: Military Supplier Device Package: 14-Flatpack DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Power - Max: 400mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 NPN (Quad) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-Flatpack Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6990 | Microchip / Microsemi | MOSFETs 50V 800mA 400mW NPN Quad - Small-Signal BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N718A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Jantxv2N718A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7224 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7224 | MICROSEMI | TO-254AA/34 A, 100 V, 0.081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2N7224 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7224U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7225 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 27.4A TO254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7225 | MICROSEMI | TO-254AA/N-CHANNEL MOSFET 2N7225 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7225U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 27.4A TO267AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7227 | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JANTXV2N7227 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7227U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7228 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7228U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO267AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7236 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA Qualification: MIL-PRF-19500/595 Grade: Military Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-254AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7236U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB Qualification: MIL-PRF-19500/595 Grade: Military Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-267AB Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-267AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N7236U | MICROSEMI | 2N7236UJANTXV 2N7236 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |