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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.14 EUR
67+2.5 EUR
68+2.38 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.34 EUR
55+3.05 EUR
100+2.14 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.14 EUR
67+2.56 EUR
68+2.48 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.69 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 8114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
59+3.99 EUR
100+2.62 EUR
500+2.2 EUR
1500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.83 EUR
28+3.06 EUR
32+2.69 EUR
50+2.01 EUR
100+1.78 EUR
250+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.24 EUR
59+2.82 EUR
61+2.63 EUR
62+2.5 EUR
100+1.75 EUR
250+1.67 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 8114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
500+2.2 EUR
1500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LonsemiMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.44 EUR
100+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.24 EUR
59+2.88 EUR
61+2.73 EUR
62+2.64 EUR
100+1.89 EUR
250+1.84 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.41 EUR
500+4.82 EUR
1500+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 271A
Power dissipation: 113W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+5.24 EUR
100+4.36 EUR
500+4.27 EUR
1000+3.97 EUR
3000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.19 EUR
500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.75 EUR
300+4.58 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.06 EUR
75000+1.86 EUR
150000+1.69 EUR
225000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.2 EUR
35+4.81 EUR
100+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 153356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.19 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.61 EUR
10000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.52 EUR
6000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
auf Bestellung 70685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.34 EUR
10+6.89 EUR
100+4.94 EUR
500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.7 EUR
50+7.47 EUR
100+5.41 EUR
500+4.82 EUR
1500+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255onsemiMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 18330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+7.64 EUR
100+5.62 EUR
500+4.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 20737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.19 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.61 EUR
10000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.92 EUR
47+3.61 EUR
48+3.51 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.22 EUR
100+4.93 EUR
250+4.72 EUR
500+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.19 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.17 EUR
126000+2.87 EUR
252000+2.62 EUR
378000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+6.59 EUR
103+6.22 EUR
500+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ET150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.42 EUR
20+12.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 2112 Stücke:
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98+6.59 EUR
103+6.22 EUR
500+5.84 EUR
1000+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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FDMS86255ET150onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.42 EUR
10+8.4 EUR
100+6.22 EUR
1000+5.93 EUR
3000+5.28 EUR
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FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.49 EUR
52+3.26 EUR
53+3.17 EUR
100+2.95 EUR
250+2.88 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.32 EUR
10+8.84 EUR
100+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMS86255ET150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.42 EUR
20+12.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDMS86255ET150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 136W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+6.59 EUR
103+6.22 EUR
500+5.84 EUR
1000+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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FDMS86255ET150onsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.41 EUR
10+9.64 EUR
100+7.75 EUR
500+6.89 EUR
1000+6.15 EUR
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FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.51 EUR
43+3.96 EUR
100+2.83 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.08 EUR
100+2.53 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.51 EUR
43+3.88 EUR
100+2.73 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 5864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.51 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.27 EUR
59+2.83 EUR
60+2.67 EUR
100+2.5 EUR
250+2.33 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.8 EUR
100+3.52 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PONS/FAIMOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.39 EUR
6000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.27 EUR
59+2.9 EUR
60+2.76 EUR
100+2.63 EUR
250+2.52 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
66+2.57 EUR
100+2.45 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.79 EUR
10+5.12 EUR
100+3.61 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.4 EUR
6000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 5864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
47+4.99 EUR
100+3.51 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PonsemiMOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
auf Bestellung 11421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.24 EUR
100+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86263P-23507XonsemiDescription: FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
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FDMS86300onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
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FDMS86300ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
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FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86300onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
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