Produkte > IS4

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 6 12 18 24 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 42 48 54 60 65  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43LR16160G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+12.21 EUR
25+11.96 EUR
50+11.91 EUR
100+11.25 EUR
300+10.31 EUR
600+10.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-5BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-5BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-5BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160H-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BLISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BL-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 32MbDRAM; 1Mx16bitx2; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 32Mb DRAM
Memory organisation: 1Mx16bitx2
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BLIISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BLI-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16200D-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.36 EUR
10+22.57 EUR
25+22.07 EUR
100+19.33 EUR
300+18.37 EUR
600+18.18 EUR
1200+17.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-5BLIISSIDRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-5BLI-TRISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BL-TRISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.62 EUR
10+21.94 EUR
25+21.28 EUR
50+20.28 EUR
100+19.77 EUR
300+19.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LR16320D-5BLI - DRAM, Mobile DDR SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile DDR SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.75 EUR
26+8.48 EUR
50+8.44 EUR
100+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIISSI 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLI-TRISSI 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320D-5BLI-TRISSIIS43LR16320D-5BLI-TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 64M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400B-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 64M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 1Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 64Mb DRAM
Memory organisation: 1Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSIDRAM 64M, 1.8V, M-DDR 4Mx16, 166Mhz, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 4Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 5.5 ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLI-TRISSIDRAM 64M, 1.8V, M-DDR 4Mx16, 166Mhz, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16400C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 1Gb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Clock frequency: 200MHz
Case: TWBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BL-TRISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 1Gb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Clock frequency: 200MHz
Case: TWBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 64Mx16 Mobile DDR
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.61 EUR
10+22.81 EUR
25+22.29 EUR
100+19.9 EUR
300+18.66 EUR
600+18.58 EUR
1200+18.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 64Mx16 Mobile DDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+20.19 EUR
25+19.73 EUR
100+17.28 EUR
300+16.42 EUR
600+16.1 EUR
1200+15.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BL-TRISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16640A-6BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 64Mx16 Mobile DDR
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.9 EUR
10+22.13 EUR
25+21.63 EUR
100+18.96 EUR
300+17.99 EUR
600+17.83 EUR
1200+17.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 6 12 18 24 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 42 48 54 60 65  [ Nächste Seite >> ]