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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43LQ32256B-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT LVSTL 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.6 EUR
10+75.46 EUR
25+73.03 EUR
50+71.21 EUR
100+69.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-062BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LQ32256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.86 EUR
6+45.02 EUR
10+37.81 EUR
25+35.45 EUR
50+34.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.867 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-053BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-046BLIISSIDRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+177.17 EUR
10+163.47 EUR
25+158.15 EUR
50+154.15 EUR
100+148.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-046BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-046BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-053BLIISSIDRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+151.8 EUR
10+130.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.24 EUR
5+129.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640A-062BLIISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.86 EUR
10+26.75 EUR
25+25.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640AL-062BLI-TRISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640AL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 64M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640AL-062TBLI-TRISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32K01S2A-046BLIISSI 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.05 EUR
10+93.72 EUR
25+90.37 EUR
50+88.11 EUR
100+81.66 EUR
272+77.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLIISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 128M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLI-TRISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-6BLIISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 128Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BL-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
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IS43LR16160G-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
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IS43LR16160G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
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IS43LR16160G-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
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IS43LR16160G-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
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IS43LR16160H-5BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
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IS43LR16160H-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
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IS43LR16160H-5BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
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IS43LR16160H-5BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
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IS43LR16160H-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
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IS43LR16160H-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
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IS43LR16160H-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
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IS43LR16160H-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
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IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
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IS43LR16160H-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
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IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
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IS43LR16160H-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
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IS43LR16160H-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
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IS43LR16160H-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
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IS43LR16200C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
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IS43LR16200C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IS43LR16200C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
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IS43LR16200C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
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IS43LR16200D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43LR16200D-6BLISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
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IS43LR16200D-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IS43LR16200D-6BL-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
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IS43LR16200D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43LR16200D-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 32MbDRAM; 1Mx16bitx2; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 32Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 1Mx16bitx2
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA60
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IS43LR16200D-6BLIISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
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IS43LR16200D-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IS43LR16200D-6BLI-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
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IS43LR16320B-6BLISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
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IS43LR16320B-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
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IS43LR16320B-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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IS43LR16320B-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
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IS43LR16320B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
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IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
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IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320B-6BLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
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IS43LR16320C-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
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IS43LR16320C-5BLIISSIDRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
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IS43LR16320C-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
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IS43LR16320C-5BLI-TRISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43LR16320C-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
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IS43LR16320C-6BLISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
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IS43LR16320C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IS43LR16320C-6BL-TRISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
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IS43LR16320C-6BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16320C-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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