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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7970DP-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Si7972DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Транзистори
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Si7972DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 22W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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128+1.36 EUR
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1000+0.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7972DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7972DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7972DP-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8A; Idm: 40A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 22W
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7972DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7972DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 24507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
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500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7973DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 12.8A 1.4W
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7973DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Si7980DP
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7980DP-T1-E3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7980DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7980DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
auf Bestellung 8085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Si7980DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7980DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20/20V 8.0/17A 22/15mohm @ 10V
auf Bestellung 4037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Si7980DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
auf Bestellung 8085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7980DP-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7983DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7983DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7983DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
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SI7994DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7994DP-T1-GE3
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7994DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+5.72 EUR
100+4.63 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7994DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.53 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.36 EUR
3000+3.09 EUR
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SI7994DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7994DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7994DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DPMOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Транзистори
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SI7997DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7997DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3
Produktcode: 150524
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 99083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.61 EUR
100+2.62 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.07 EUR
3000+1.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.38 EUR
100+2.33 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7998DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7998DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7998DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7998DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A/30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7998DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7998DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SI7998DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7998DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
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