Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRLR3715ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717PBF | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR3717PBF Produktcode: 113283
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR3717PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TR | JSMSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3717; IRLR3717TRL; IRLR3717TR; IRLR3717TRR; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116; IRLR3717TR JSMICRO TIRLR3717 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3717TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TR-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3717; IRLR3717TRL; IRLR3717TR; IRLR3717TRR; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116; IRLR3717TR CHIPNOBO TIRLR3717 CNB Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3717TR-VB | VBsemi | Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TR-VB; IRLR3717; IRLR3717TR; IRLR3717TRR; VBE1202; IRLR3717 TIRLR3717 VBS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3717TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 120A 21nC 4.2mOhm Qg log lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3717TRRPBF | Infineon | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR3802 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 12V; 12V; 30mOhm; 84A; 88W; -55°C ~ 175°C; IRLR3802 TIRLR3802 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3802 Produktcode: 91609
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR3802PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V | auf Bestellung 3740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC | auf Bestellung 1532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF | Infineon Technologies | Description: IRLR3802 - 12V-300V N-CHANNEL PO | auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802TRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC | auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802TRPBF | Infineon | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR3802TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802TRPBF-INF | Infineon Technologies | Description: IRLR3802 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3802TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3915 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 55V 30A 120W 0.014Ω IRLR3915 TIRLR3915 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3915 | Infineon Technologies | Description: IRLR3915 | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3915PBF Produktcode: 84592
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 Drain-Strom Idd, A: 61 Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3915PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3915TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 120W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | auf Bestellung 3248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 61A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl | auf Bestellung 2257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V | auf Bestellung 3195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR3915TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 120W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | auf Bestellung 3248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3915TRPBF | TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR3915TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4132TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4132TRPBF | Infineon | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR4132TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4132TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR4343 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343-701PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK (LF701) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR4343TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225 | International Rectifier | N-MOSFET 20V 100A 63W 0.004Ω IRLR6225 TO-252-3 TIRLR6225 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR6225PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225PBF | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR6225PBF Produktcode: 92029
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3770/48 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR6225TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR6225TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 100A 4.0mOhm 2.5V dr cpbl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |