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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43LR32160C-6BLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.36 EUR
10+22.62 EUR
25+21.93 EUR
50+20.9 EUR
100+20.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160C-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160D-5BLIISSI 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32160D-5BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LR32160D-5BLI - DRAM, Mobile DDR SDRAM, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, FBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile DDR SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32200B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 642M 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32200B-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 642M 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32200C-6BLIISSIDRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32200C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32200C-6BLI-TRISSIDRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32200C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-LFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 32M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-5BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-LFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 32M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; LFBGA90; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 1Gb DRAM
Memory organisation: 8Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: LFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BLISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BL-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BL-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 32Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BLIISSIDRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320B-6BLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320C-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 14.4ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320C-5BLIISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 32Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320C-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 14.4ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320C-6BLIISSIDRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32320C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400F-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400F-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR SDRAM 128MBIT 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400F-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BLISSIDRAM 128M, 18V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BL-TRISSIDRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BLIISSIDRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32400G-6BLI-TRISSIDRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32640A-5BLISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32640A-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR MOBILE 2GB 200MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32640A-5BL-TRISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32640A-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR MOBILE 2GB 200MHZ 90BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32640A-5BLIISSIDRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 200Mhz 90 ball BGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32640A-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-WBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32640A-5BLI-TRISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
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IS43LR32640A-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR MOBILE 2GB 200MHZ 90BGA
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IS43LR32640A-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA
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IS43LR32640A-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90-Pin WBGA
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IS43LR32640A-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 16Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; WBGA90; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 2Gb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: WBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
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IS43LR32640A-6BLISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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IS43LR32640A-6BL-TRISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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IS43LR32640A-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR MOBILE 2GB 166MHZ 90BGA
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IS43LR32640A-6BLIISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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IS43LR32640A-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-WBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 64M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43LR32640A-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 16Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; WBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 2Gb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: WBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
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IS43LR32640A-6BLI-TRISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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IS43LR32640A-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR MOBILE 2GB 166MHZ 90BGA
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IS43LR32640B-5BLIISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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IS43LR32640B-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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IS43LR32640B-6BLIISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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IS43LR32800F-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA
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IS43LR32800F-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA
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IS43LR32800F-6BL-TRISSIDRAM 256M,1.8V,MobileDDR 166Mhz,90 ball BGA
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IS43LR32800F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA
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IS43LR32800F-6BLI-TRISSIDRAM 256M,1.8V,Mobile DDR 166Mhz,90 ball BGA
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IS43LR32800F-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA
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IS43LR32800G-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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IS43LR32800G-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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IS43LR32800G-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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IS43LR32800G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
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IS43LR32800G-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
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IS43LR32800G-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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IS43LR32800G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IS43LR32800G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IS43LR32800G-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
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IS43LR32800G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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IS43LR32800G-6BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
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10+13.67 EUR
25+13.39 EUR
50+13.34 EUR
100+11.98 EUR
240+11.3 EUR
480+11.16 EUR
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IS43LR32800G-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R
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IS43LR32800G-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLIISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR32800H-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256A-083RBLIISSIDRAM 1.2V 2400 MT/s 4Gb 256Mx16 DDR4 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43QR16256B-075UBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.79 EUR
10+39.66 EUR
25+38.41 EUR
50+37.47 EUR
100+36.54 EUR
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