Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6140LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6140LQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 610mW; SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 2.4Ω Power dissipation: 0.61W Gate charge: 740pC Polarisation: unipolar Drain current: 0.37A Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23 | auf Bestellung 4748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | auf Bestellung 132321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 65 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 216000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.37A; 0.39W; SOT23; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 1.8Ω Power dissipation: 0.39W Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 0.37A Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | auf Bestellung 15411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 189447 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 130961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 14405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | auf Bestellung 20490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 14405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: TSOT26 On-state resistance: 2.4Ω Power dissipation: 1.09W Gate charge: 740pC Polarisation: unipolar Drain current: 0.5A Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA | auf Bestellung 7198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: TSOT26 On-state resistance: 2.4Ω Power dissipation: 1.09W Gate charge: 740pC Polarisation: unipolar Drain current: 0.5A Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26 | auf Bestellung 3795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 820mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 820mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 Produktcode: 148365
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
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| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | auf Bestellung 6870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson | auf Bestellung 6323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9U-7 - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 0.38A, 60V, SOT2 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms | auf Bestellung 360939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 370mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 440mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 440mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 370mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D9UT-13 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT523 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT523 T&R 3K | auf Bestellung 128900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UV-13 | Diodes Incorporated | Description: DMN61D9UV-13 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UV-7 | Diodes Incorporated | Description: DMN61D9UV-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | auf Bestellung 9179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D9UW-7 Produktcode: 127397
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 11348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 440mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN61D9UWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 14030000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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