Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRLR7843CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843CTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) | auf Bestellung 4538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843PBF Produktcode: 119030
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR7843TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 62,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR HXY MOSFET TIRLR7843 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 161A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR UMW TIRLR7843 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TR | International Rectifier | DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 150A; 108W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR JSMICRO TIRLR7843 JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR-ML MOSLEADER TIRLR7843 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 34724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl | auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF Produktcode: 113284
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | auf Bestellung 14087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | International Rectifier | DPAK Транзистори | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 1389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC | auf Bestellung 7918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR7843TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 89A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TRL | Vishay / Siliconix | MOSFET Discrete Semiconductor Products | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 89A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TRL | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 89A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TRR | Vishay | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103V | IR | TO-252 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103V | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK | auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8103VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 91 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 115 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 115 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTR | IR | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR8103VTRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR8103VTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 89A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRR | IR | 0148+ | auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRR PBF | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR8103VTRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8103VTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113PBF Produktcode: 48240
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR8113PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 22nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRR | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 22nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8113TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8203 | IR | TO-252 | auf Bestellung 127500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8203TR | IR | TO252 03+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8203TRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8203TRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8203TRR | IR | TO-252 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8256 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8256PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8256PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 5.7mOhms 10nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8256PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8256PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 63 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR8256PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |