Produkte > MRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFX1K80H-VHFDHY | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFX1K80H 174-230 MHz Doherty Reference Circuit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 65V LDMOS Transistor | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX1K80HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-1230H T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Configuration: Dual Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 182 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 200 mA | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX1K80HR5 | NXP | RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80HR5 Produktcode: 152221
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| MRFX1K80HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Configuration: Dual Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 182 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 200 mA | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX1K80HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-1230H T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80HR5178 | NXP USA Inc. | Description: WIDEBAND RF POWER TRANSISTOR, 18 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80N | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 600MHz 1.8KW OM1230-4L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80N-230MHZ | NXP USA Inc. | Description: MRFX1K80N REF BOARD - 230MHZ Packaging: Bulk Part Status: Active Supplied Contents: Board(s) Type: Transistor Frequency: 230MHz For Use With/Related Products: MRFX1K80N Utilized IC / Part: MRFX1K80N Contents: Board(s) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80N-230MHZ | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFX1K80N-230MHZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80N-88MHZ | NXP USA Inc. | Description: MRFX1K80N REF BOARD 108MHZ 1670W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFX1K80N Frequency: 87.5MHz ~ 108MHz Type: Transistor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFX1K80N Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80N-88MHZ | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX1K80NR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX1K80NR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Voltage - Test: 65 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80NR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80NR5 | NXP | Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 179V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 400MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 3.333kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: OM-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80NR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Voltage - Test: 65 V | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX1K80NR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX1K80NR5578 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 65 V Voltage - Rated: 179 V Part Status: Active Supplier Device Package: OM-1230-4L2L Technology: LDMOS Gain: 24.4dB Power - Output: 1800W Configuration: Dual Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 100mA Package / Case: OM-1230-4L2L Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX600GSR5 | NXP | Description: NXP - MRFX600GSR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX600GSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780GS-4L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GS-4L Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 65 V Voltage - Rated: 179 V Supplier Device Package: NI-780GS-4L Technology: LDMOS (Dual) Gain: 26.4dB Power - Output: 600W Configuration: 2 N-Channel Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: NI-780GS-4L Packaging: Bulk | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX600GSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: NI-780GS-4L Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 65 V Voltage - Rated: 179 V Supplier Device Package: NI-780GS-4L Technology: LDMOS Gain: 26.4dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Mounting Type: Chassis Mount | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600H-230MHZ | NXP USA Inc. | Description: MRFX600H REF BRD 230MHZ 600W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFX600H Frequency: 230MHz Type: Transistor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFX600H Supplied Contents: Board(s) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600H-230MHZ | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFX600H 230 MHz Reference Circuit | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600H-88MHZ | NXP USA Inc. | Description: MRFX600H REF BRD 108MHZ 680W Utilized IC / Part: MRFX600H Contents: Board(s) Supplied Contents: Board(s) Type: Transistor Frequency: 87.5MHz ~ 108MHz For Use With/Related Products: MRFX600H Packaging: Bulk | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600H-88MHZ | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFX600H 87.5-108 MHz Reference Circuit | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 65 V Voltage - Rated: 179 V Supplier Device Package: NI-780-4 Technology: LDMOS Gain: 26.4dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: NI-780-4 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MRFX600HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 65 V Voltage - Rated: 179 V Supplier Device Package: NI-780S-4L Technology: LDMOS Gain: 26.4dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: NI-780S-4L Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||
| MRFX600HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |