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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.55 EUR
10+14.08 EUR
100+12.1 EUR
500+11.33 EUR
1000+10.6 EUR
2000+10.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 79A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.81 EUR
13+19.1 EUR
15+14.84 EUR
50+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 79A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 68A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.87 EUR
10+13.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 68A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.16 EUR
10+12.54 EUR
100+9.7 EUR
500+9.01 EUR
1000+8.82 EUR
2000+8.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R033M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.9 EUR
15+16.12 EUR
19+11.86 EUR
50+11.09 EUR
100+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.7 EUR
18+13.44 EUR
23+9.62 EUR
50+8.84 EUR
100+7.09 EUR
250+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.61 EUR
10+11.69 EUR
100+9.47 EUR
500+8.43 EUR
1000+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.34 EUR
10+11.13 EUR
100+8.19 EUR
500+8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.7 EUR
18+13.44 EUR
23+9.62 EUR
50+8.84 EUR
100+7.09 EUR
250+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.95 EUR
21+11.41 EUR
26+8.25 EUR
50+7.66 EUR
100+7.07 EUR
250+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 43A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.14 EUR
10+9.56 EUR
100+6.96 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.95 EUR
21+11.41 EUR
26+8.25 EUR
50+7.66 EUR
100+7.07 EUR
250+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 43A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.89 EUR
10+8.95 EUR
100+7.02 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.07 EUR
28+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+8.65 EUR
100+6.95 EUR
500+6.18 EUR
1000+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1
Produktcode: 222120
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.96 EUR
10+8.72 EUR
100+6.33 EUR
500+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMTA65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.21 EUR
10+8 EUR
100+5.89 EUR
500+5.24 EUR
1000+5.09 EUR
2000+4.69 EUR
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IMTA65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMTA65R075M2HXTMA1
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.44 EUR
10+7.65 EUR
100+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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