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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 33W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1InfineonIPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26 MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
170+1.37 EUR
250+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.15 EUR
100+1.33 EUR
1000+1.12 EUR
5000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 9501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
170+1.37 EUR
250+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 6478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1 EUR
10000+0.94 EUR
15000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1InfineonIPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S4-36A MOSFET 2N-CH 8TDSON Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
93+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-22Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.45 EUR
5000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-22AInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 4816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.45 EUR
5000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-22AInfineon
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-35Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.26 EUR
10000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 12497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.93 EUR
100+2.34 EUR
133+1.62 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.28 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.59 EUR
5000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
auf Bestellung 10656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 12497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
133+1.62 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 7374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.84 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.51 EUR
5000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
78+2.17 EUR
79+2.06 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.86 EUR
95+1.82 EUR
121+1.39 EUR
200+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.13 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
75+3.13 EUR
250+2.01 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
78+2.21 EUR
79+2.14 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
108+1.59 EUR
121+1.39 EUR
200+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.13 EUR
5000+1.08 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.44 EUR
250+2.14 EUR
1000+1.59 EUR
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.3 EUR
139+1.68 EUR
198+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.3 EUR
139+1.68 EUR
198+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.39 EUR
100+1.65 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
93+1.86 EUR
114+1.48 EUR
200+1.34 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.08 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.75 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.24 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
250+1.57 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
94+2.49 EUR
250+1.57 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG6-27390-1Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-20845-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-28676-25-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-30036-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-30036-7Sensata-AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER
Part Status: Active
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Actuator Type: Lever
Mounting Type: Panel Mount
Packaging: Bulk
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH111-25450-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH1111-23259-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH1111-28676-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH266-20628-2Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH66-20788-1-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH66-20788-2-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH66-20788-3-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH666-1REC4-23578-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGHB111-22761-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGHF666-32689-30Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGSK-1316ITTIPGSK-1316
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGSK-1316Sure-SealDescription: GASKET CIRCULAR 13/16 10PK
Packaging: Box
Accessory Type: Gasket
Part Status: Active
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