Produkte > NVB

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 4

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

NVBLS1D1N08H

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

MOSFETs T8-80V IN TOLL

auf Bestellung 1367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.99 EUR
10+	10.14 EUR
100+	8.48 EUR
1000+	7.56 EUR
2000+	7.54 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D2N08XTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	12.2 EUR
26+	9.04 EUR
100+	6.47 EUR
500+	6.21 EUR
1000+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D2N08XTXG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3954 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.49 EUR
10+	9.82 EUR
50+	7.81 EUR
100+	7.16 EUR
500+	6.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D2N08XTXG

MOSFETs T10 80V SG TOLL

auf Bestellung 4455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.04 EUR
10+	10.06 EUR
100+	8.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D2N08XTXG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	5.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D2N08XTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.47 EUR
500+	6.21 EUR
1000+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.79 EUR
10+	10.03 EUR
100+	7.35 EUR
500+	7.14 EUR
1000+	6.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 331W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

auf Bestellung 1260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.65 EUR
21+	11.11 EUR
100+	7.52 EUR
500+	7.31 EUR
1000+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 131nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 331W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

auf Bestellung 1260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.65 EUR
21+	11.11 EUR
100+	7.52 EUR
500+	7.31 EUR
1000+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.18 EUR
10+	11 EUR
50+	8.78 EUR
100+	8.07 EUR
500+	7.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.0017 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 241.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237.5W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1989 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.15 EUR
43+	5.4 EUR
100+	4.31 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

MOSFETs T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE

auf Bestellung 622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.52 EUR
10+	6.09 EUR
100+	5.57 EUR
500+	5.13 EUR
1000+	4.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.0017 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 241.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 237.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237.5W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1989 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.31 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.73 EUR
10+	7.87 EUR
100+	5.66 EUR
500+	5.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 241.3A; Idm: 900A; 118.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 241.3A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 118.7W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

auf Bestellung 1737 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.76 EUR
10+	9.32 EUR
100+	6.78 EUR
500+	6.5 EUR
1000+	6.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm

auf Bestellung 1979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.42 EUR
24+	9.7 EUR
100+	6.69 EUR
500+	6.15 EUR
1000+	5.74 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 265A; Idm: 900A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 152W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm

auf Bestellung 1979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.42 EUR
24+	9.7 EUR
100+	6.69 EUR
500+	6.15 EUR
1000+	5.74 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.52 EUR
10+	9.83 EUR
50+	7.82 EUR
100+	7.18 EUR
500+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.33 EUR
13+	17.89 EUR
100+	14.29 EUR
500+	13.65 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 158W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 90.4nC
Drain current: 187A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	14.29 EUR
500+	13.65 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

ON Semiconductor

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

MOSFETs PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	23.45 EUR
10+	16.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBP

Racks & Rack Cabinets N TYPE VERTICAL BLKG PANELS 42RU-8RU

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBP1000

Description: N-TYPE VERTICAL BLANKING PANELS

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBV-M207-6

ABB Power Electronics Inc.

Description: PA NVBVM2076 FTNG 90C M20 NW17 P

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBV-M253-11

ABB Installation Products

Conduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW23 PA6/BR 11 IP68 BLK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBV-M253-11

ABB Power Electronics Inc.

Description: PA NVBVM25311 FTNG 90C M25NW23 P

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBV-M253GT-11

ABB Installation Products

Conduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW23 PA6/BR 11 68GT BLK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBV-M257-11

ABB Installation Products

Conduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW17 PA6/BR 11 IP68 BLK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBV-M257GT-11

ABB Installation Products

Conduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW17 PA6/BR 11 68GT BLK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST001N08XTXG

Description: MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 467A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 16-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8678 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST001N08XTXG

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB6)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	10.47 EUR
10+	6.26 EUR
100+	5.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST001N08XTXG

Description: MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 467A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 16-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8678 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST0D6N08XTXG

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.99 EUR
10+	11.21 EUR
100+	9.07 EUR
500+	8.04 EUR
1000+	7.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST0D8N08XTXG

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST1D4N08XTXG

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB7)

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.88 EUR
10+	5.78 EUR
100+	4.52 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.52 EUR
1500+	3.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST1D4N08XTXG

Description: MOSFET N-CH 80V 396A 16TCPAK

auf Bestellung 1474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.88 EUR
10+	5.87 EUR
100+	4.15 EUR
500+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBYST1D4N08XTXG

Description: MOSFET N-CH 80V 396A 16TCPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 4